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精华回放丨2025年英飞凌宽禁带开发者论坛

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宽禁带半导体器件在多种应用中显著提升了效率。英飞凌创新的宽禁带半导体产品组合正广泛应用于先进电子设备,包括消费应用的充电器和适配器、电动汽车充电、通信设备、开关电源、太阳能、工业应用中的电池化成,以及汽车应用的车载充电和高压到低压的DC-DC转换器。






2025年英飞凌宽禁带开发者论坛(WBG developer forum)在3月11日落下帷幕,多位明星演讲嘉宾带来精彩演讲。

如果你错过了当天直播,立即扫描下方二维码填写信息获取回放链接,弥补遗憾!



直播亮点回顾
  • 3位客户大咖案例分享

  • Siemens AG: 西门子ET200SP e-Starter 3RD1应用案例分享
  • Suzhou Inovance (苏州汇川联合动力系统股份有限公司): 先进的多自由度融合模块增强电机驱动器智能化、高性价比与实用性分享
  • BRC Solar Gmbh: 为何光伏应用使用氮化镓 (GaN)


  • CoolSiC™和CoolGaN™何以成为太阳能、储能、逆变器设计以及车载电动汽车充电等应用的理想解决方案?



碳化硅部分


· Top-Side Cooling (TSC) solutions for industrial and renewable applications with SiC MOSFET

本演讲探讨英飞凌的Q-DPAK和X-DPAK平台,展示它们在提高功率密度和降低组装成本的努力。演讲将深入研究使用不同的组装技术和热堆栈来优化热性能,尤其关注在热组装的最优方法。此外,还强调了CoolSiC™ G2技术的卓越优势,包括其减少开关损耗和提升整体系统效率的能力。

· SiC 2.3 kV power modules asenabler towards a clean energy transition – examples for wind and energy storage systems

  • 2.3kV碳化硅XHP2基本特性
  • 典型风能转换系统性能参数
  • 典型电池储能系统性能参数
  • 关于XHP2并联碳化硅模块的研究


· SiC .XT interconnect: enabling SiC for long lifetime in high power applications

通过提高功率循环可靠性,改进采用CoolSiC™技术的半导体功率模块的使用寿命。
采用CoolSiC™技术的框架式半导体功率模块引入了更优异的英飞凌.XT互连技术,与传统互连技术相比,显著提升了功率循环可靠性。

由于这一改进,具备CoolSiC™技术及卓越电性能的功率模块成为对长寿命要求较高的应用领域(如轨道交通、风力发电或商用电动汽车)的理想解决方案。

氮化镓部分


· Driving the future of Motor Control with 650V GaN

650V氮化镓 (GaN) 驱动电机控制的未来

· Highly integrated coin-sized 1 kW GaN-based motor drive

高度集成硬币大小的1kW氮化镓 (GaN) 电机驱动器

· GaN Monolithic Bi-directional Switch - A New Paradigm in Power Electronics

单片氮化镓(GaN)双向开关 – 功率电子领域的新星

· Value Proposition of GaN in OBC

车载充电应用中氮化镓(GaN)的价值主张



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沙发
IFX新闻官|  楼主 | 2025-4-11 14:33 | 只看该作者

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