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[STM32G0]

STM32G0的FLASH频繁擦写情况下实际寿命到底靠不靠谱？

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楼主
帛灿灿|  楼主 | 2025-4-20 07:47 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
ST, STM, STM32, flash, stm32g0
频繁擦写情况下，实际寿命是不是比官方说的短很多？

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沙发
Clyde011| | 2025-4-20 07:54 | 只看该作者
频繁存配置参数建议做双备份区。

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板凳
Uriah| | 2025-4-20 07:55 | 只看该作者
我觉得内部Flash真不适合日志类数据。

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地板
Pulitzer| | 2025-4-20 07:55 | 只看该作者
是不是考虑外接SPI NOR Flash？

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5楼
Bblythe| | 2025-4-20 07:56 | 只看该作者
文件系统别用FAT，太伤Flash了。

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6楼
Wordsworth| | 2025-4-20 07:57 | 只看该作者
看你是不是单地址来回写。

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7楼
公羊子丹| | 2025-4-20 07:58 | 只看该作者
数据频繁写，得考虑加上磨损均衡。

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8楼
周半梅| | 2025-4-20 07:59 | 只看该作者
EEPROM模拟用得当的话能延长寿命。

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9楼
帛灿灿|  楼主 | 2025-4-20 08:00 | 只看该作者
ST的数据手册写的是1万次，你信吗？

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10楼
童雨竹| | 2025-4-20 08:01 | 只看该作者
我实际测到5000多次开始不稳。

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11楼
万图| | 2025-4-20 08:02 | 只看该作者
写入失败是块区域反复操作太多了。

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