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芯片替换问题

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Undshing|  楼主 | 2025-4-22 13:09 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
同一个工程在GD32F103和STM32F103上运行,操作FLASH时GD32偶尔会进入HardFault。仿真发现是在解锁FLASH时发生的,这俩芯片的FLASH控制器差异这么大吗?

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沙发
jcky001| | 2025-4-22 14:02 | 只看该作者
尽量使用 GD32 用官方固件库。

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板凳
cr315| | 2025-4-22 14:03 | 只看该作者
建议阅读数据手册。

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地板
elephant00| | 2025-4-22 14:04 | 只看该作者
可以联系 GD32 的技术支持

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5
ead5ah| | 2025-5-30 15:27 | 只看该作者
GD32 的 FLASH 解锁对 BSY 位状态更敏感。

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6
t1ngus4| | 2025-6-17 18:26 | 只看该作者
GD32F103和STM32F103的FLASH控制器存在差异,可能导致GD32在操作FLASH时偶尔进入HardFault

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7
d1ng2x| | 2025-6-17 19:33 | 只看该作者
擦除和写操作速度差异:GD32F103的Flash擦除和写操作比STM32F103慢,但读操作要快。

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8
g0d5xs| | 2025-6-17 20:42 | 只看该作者
如果GD32F103的FLASH操作超时设置不当,可能导致在解锁或擦除过程中进入HardFault。

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9
cen9ce| | 2025-6-17 21:45 | 只看该作者
可以尝试修改Flash擦除和编程超时宏定义,如将EraseTimeout和ProgramTimeout设置为更大的值。

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10
b5z1giu| | 2025-6-17 23:16 | 只看该作者
内部逻辑和输出波形差异,GD32F103在某些模式下(如SPI主机模式)的内部计数器逻辑可能受CLK引脚电平变化干扰,使得内部逻辑和输出波形发生错误。

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11
q1ngt12| | 2025-6-18 06:25 | 只看该作者
虽然这主要影响SPI通信,但也可能暗示GD32F103在内部时序控制上与STM32F103存在差异,这种差异在FLASH操作中也可能体现出来。

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12
su1yirg| | 2025-6-18 08:31 | 只看该作者
GD32F103的外设寄存器映射和寄存器定义可能与STM32F103略有不同。

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13
tax2r6c| | 2025-6-18 10:09 | 只看该作者
在操作FLASH时,如果寄存器操作不当(如未正确解锁、擦除或写入),也可能导致进入HardFault。

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14
q1d0mnx| | 2025-6-18 12:01 | 只看该作者
一般来说GD32F103和STM32F103在电源和复位管理方面也可能存在差异。如果电源不稳定或复位信号异常,也可能影响FLASH操作的稳定性。

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15
l1uyn9b| | 2025-6-18 13:12 | 只看该作者
这俩应该也不能完全兼容的吧,你这么操作也不行啊

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