Flash擦写次数限制在实际中影响大吗？

1万 · 2025-4-23 07:23

如果频繁保存参数，Flash是不是很快就寿命到了？有没有办法延长？

1万 · 2025-4-23 07:27

不如直接存RAM+定期上传保存。

1万 · 2025-4-23 07:28

想稳一点还是加个外部EEPROM。

1万 · 2025-4-23 07:29

有些芯片Flash寿命上不去。

1万 · 2025-4-23 07:30

写之前一定要先擦页，不然失败。

1万 · 2025-4-23 07:30

我的办法是换区循环写。

1万 · 2025-4-23 07:31

Flash写太多容易CRC错。

1万 · 2025-4-23 07:32

EEPROM仿真我觉得还挺靠谱。

1万 · 2025-4-23 07:33

你是写整页还是改一个字节？

1万 · 2025-4-23 07:34

频繁保存建议用Wear Leveling。

1万 · 2025-4-23 07:34

我遇到过用两三年Flash就不写了。

只看该作者 · 2025-4-30 23:35

Flash 存储器的每个单元都有擦写次数的限制，即每个存储单元在擦除和写入过程中都有一定的耐久性。

只看该作者 · 2025-5-15 18:53

在需要频繁保存参数的场景（如工业设备配置、传感器校准数据、嵌入式日志记录等），若未优化Flash使用策略，可能因Flash过早失效导致数据丢失或系统故障。

只看该作者 · 2025-5-15 19:00

STM32G0系列Flash擦写寿命通常为10,000次（部分型号如G030可能更低至1,000次）。若以每分钟保存一次参数计算，10,000次寿命仅支持约7天（10,000分钟≈6.9天）的连续高频写入，实际应用中显然无法满足长期需求

只看该作者 · 2025-5-15 21:00

分区域写入与按需擦除，Flash擦除以页（Page）为单位（通常2KB/页），写入以半字（16位）为单位。通过分区域写入，避免频繁擦除整页。

只看该作者 · 2025-5-15 21:30

将Flash划分为多个数据块，每个块存储固定长度的参数。当某块写满时，再擦除整页并更新数据，减少擦除次数。

只看该作者 · 2025-5-15 22:00

循环存储与磨损均衡，利用多页Flash实现循环存储，当一页写满时切换至下一页，避免单一页的过度擦除

只看该作者 · 2025-5-15 22:59

.数据打包与CRC校验将多个参数打包为固定长度数据块，并附加CRC校验，减少写入次数。

只看该作者 · 2025-5-15 23:00

外部存储替代，对写入频率极高的参数，改用外部EEPROM或FRAM存储

只看该作者 · 2025-5-15 23:57

低成本高可靠性场景，建议使用分区域写入+循环存储+数据打包。