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用栅极驱动器驱动MOS,MOS发热严重

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molb|  楼主 | 2025-4-25 07:52 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, 栅极驱动器, 开关, MOS管, 导通, 开关频率
本帖最后由 molb 于 2025-4-25 08:22 编辑


  • 驱动回路设计不当‌：驱动回路中的杂散电感和电容会导致RC低通滤波效应，使得VGS的上升沿和下降沿变得缓慢，导致MOS管未能完全导通或关断，从而增加导通电阻RDSon，导致发热‌1。

  • ‌开关频率过高‌：高频开关操作会增加开关损耗，导致发热。在追求小型化和高效率的同时，过高的开关频率会显著增加MOS管的损耗和发热‌23。

  • ‌工作状态不当‌：如果MOS管长时间工作在线性区域而非开关状态，会导致功率损耗增大，发热严重。此外，开关不完全也会导致压降过大，功率消耗增加，从而加剧发热‌



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