MS51为带有flash的增强型8位8051内核微控制器（1T工作模式），指令集与标准的80C51完全兼容并具备更高效能。
MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE 内嵌16K的Flash存储区，通常称作APROM，用于存放用户程序代码。该Flash存储区支持在应用编程（IAP）功能，即可通过片内固件更新程序代码。IAP功能同时提供用户可自行配置程序区域或数据存储区。IAP功能可以对数据存储区进行读写操作，同时读数据也可以通过MOVC指令来实现。MS51有一个额外的存储区称作LDROM，该区域通常存放用于执行在系统编程（ISP）的引导代码（boot code），LDROM的大小最多可配置到 4K 字节。为了方便烧写和校验，整个flash区域支持并行烧录和ICP烧录。可通过加密位对Flash加密，保障程序代码无法被读出。
MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE 提供丰富的特殊功能模块，包括：256字节SRAM，1K字节XRAM。最多可达18个标准管脚。两组标准16位定时器/计数器：定时器0及1，一组带有3路管脚输入捕获模式的16位定时器：定时器2，一组看门狗定时器（WDT），一组自唤醒定时器（WKT），一组带自动重装载功能，可用于产生标准波特率的定时器：定时器3。两组标准串行口（UART），这两组串行口具有帧错误侦测及自动地址识别功能。一组SPI，一组I2C，6 通道增强型PWM输出，8路12位ADC。上述功能对应产生18个中断源，具有4级中断优先级配置。
MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE 支持3组时钟源输入，所有时钟源支持软件切换立即生效功能（on-the-fly）。3组时钟源包括：外部时钟，10kHz内部RC振荡时钟和一个出厂时已校准到室温下精度达±1%的16MHz内部高速时钟。MS51提供额外的电源监控管理模块，例如上电复位和4级低电压检测，该模块用于保障芯片在上电及掉电时系统稳定工作。
MS51可运行在两种低功耗模式－空闲模式和掉电模式，可通过软件选择运行在哪种模式。空闲模式时，芯片主时钟关闭，但部分功能模块仍然运行。掉电模式下芯片全部时钟关闭确保芯片功耗达到最低。在正常工作模式下，也可选择主时钟除频方式工作，确保在功耗和性能之间灵活运用。高效能、丰富的功能模块及配置，MS51可灵活用于各种应用场合，家电产品，甚至是马达控制等高端需求控制系统。 |
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