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[牛人杂谈]

何时需要替换Si-MOSFET为SiC?

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高压场景:母线电压>600V(如电动汽车800V系统)。

高频应用:开关频率>100kHz(如无线充电、高频电源)。

高温环境:散热受限或环境温度>100°C。


SiC的使用方法 框架 与硅MOSFET类似,但需针对其高速、高压、高温特性进行专门优化,否则可能引发可靠性问题。

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