SiC器件有什么优点？你知道吗

发表于 2025-4-29 11:25

1. 更高的耐压能力
SiC具有更高的击穿电场强度（约是Si的10倍），这使得在相同耐压下，SiC器件可以设计得更薄、更小，或者在更高电压下工作。

2. 更低的导通损耗
SiC器件的导通电阻（R<sub>on</sub>）比硅器件小，尤其在高电压下，这意味着更低的导通损耗和更高的效率。

3. 更高的工作温度
SiC的热导率高、禁带宽度大，可以承受高达200°C甚至更高的工作温度，适用于高温恶劣环境（如汽车、航空、工业场景）。

4. 更高的开关速度
SiC器件具有更快的开关速度和更短的恢复时间，有利于提高系统工作频率，减少电感和电容的尺寸，从而减小系统体积和重量。

5. 更强的抗辐射能力
SiC器件对辐射更稳定，适合航天、核能等特殊领域。

典型应用场景

电动车（EV）电机驱动器和车载充电器

光伏逆变器

工业电源和高频电源

电网和能源储存系统

航空和军事电子设备

发表于 2025-4-29 11:25

SiC器件主要有以下两类：SiC二极管（肖特基二极管）和SiC MOSFET

发表于 2025-6-22 13:15

SiC二极管（肖特基二极管）的反向漏电流小，适合在高温下使用。但是压降大，需要外接金属散热片

发表于 2025-6-23 19:44

宽带隙（3.26eV vs Si 的 1.12eV）：击穿电场强度达 3MV/cm（Si 的 10 倍），可实现高耐压、低泄漏电流。
高电子迁移率：饱和电子漂移速度为 2×10⁷cm/s（Si 的 2.5 倍），适合高频（>100kHz）应用。
高热导率：490W/(m・K)（Si 的 3 倍），散热效率高，允许更高功率密度。

发表于 2025-10-30 09:17

这个问题很有价值，SiC 器件核心优点是性能远超传统硅器件，适配高压高频场景。
核心优点
禁带宽度是硅的 3 倍，耐高压（可达数千伏）、耐高温（工作温度超 200℃）。
开关速度快、导通电阻小，能量损耗比硅器件低 50% 以上。
击穿电场强度高，器件体积更小，利于系统集成 mini 化。
热稳定性好，适配新能源、工业变流等严苛工况。

[模拟产品/SiC] SiC器件有什么优点？你知道吗

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