SiC MOSFET的使用方法

发表于 2025-4-29 11:27

引脚数量：3个（或4个）
标准引脚：

G（Gate）：栅极，控制信号输入（高/低电平）

D（Drain）：漏极，接高电压端

S（Source）：源极，接地或低电压侧

部分封装还有第4引脚：

K（Kelvin Source）：源极检测引脚，减小寄生电感对栅极驱动的干扰，提高开关性能

登录 · 发表于 2025-4-29 11:28

使用方法
与硅MOSFET类似，但要注意以下几点：

典型封装举例
TO-247：大功率场合常用

TO-220：中小功率系统常见

SMD封装（如 D2PAK）：适合体积敏感场合

发表于 2025-4-29 11:29

发表于 2025-9-22 16:54

SiC MOSFET 使用需匹配电压电流等级（650V/1200V 常用），栅极电压控制在 15-20V（关断 0V），避免过压损坏。需加栅极电阻（10-100Ω）抑制振荡，配置 RC 或 TVS 吸收电路限压。PCB 布局缩短主回路，减小寄生参数。工作时监控结温（≤175℃），加强散热，适用于高频电源、电机驱动等高功率密度场景。

[模拟产品/SiC] SiC MOSFET的使用 方法

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