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新一代8位MCU的ESD和EMC性能相比旧款到底提升了多少?

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g36xcv|  楼主 | 2025-4-29 12:59 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
在工业、汽车、家电等对可靠性要求极高的应用中,MCU的ESD抗静电能力和EMC电磁兼容性能变得尤为关键。很多新一代8位MCU标榜**"抗干扰能力更强"**,那么它们到底在哪些方面提升了?提升幅度又有多少?今天一起来了解。

小问题:
新一代8位MCU的ESD和EMC性能相比旧款到底提升了多少?

解决方法:
1. ESD静电防护能力显著提升
过去8位MCU常规ESD防护水平是2kV–4kV(HBM标准)。

新一代8位MCU普遍做到6kV–8kV甚至更高,某些型号支持15kV(空气放电)。

接口级(如UART、SPI、I2C)直接支持高ESD冲击,无需外加保护器件即可通过严苛测试。

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