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新一代8位MCU的ESD和EMC性能相比旧款到底提升了多少？

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g36xcv|  楼主 | 2025-4-29 12:59 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MCU, ESD, sd, EMC, 电磁
在工业、汽车、家电等对可靠性要求极高的应用中，MCU的ESD抗静电能力和EMC电磁兼容性能变得尤为关键。很多新一代8位MCU标榜**"抗干扰能力更强"**，那么它们到底在哪些方面提升了？提升幅度又有多少？今天一起来了解。

小问题：
新一代8位MCU的ESD和EMC性能相比旧款到底提升了多少？

解决方法：
1. ESD静电防护能力显著提升
过去8位MCU常规ESD防护水平是2kV–4kV（HBM标准）。

新一代8位MCU普遍做到6kV–8kV甚至更高，某些型号支持15kV（空气放电）。

接口级（如UART、SPI、I2C）直接支持高ESD冲击，无需外加保护器件即可通过严苛测试。

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