1、最大漏源电压（V（BR）DSSQ）：这是MOS管在关闭状态时，漏极和源极之间所能承受的最大电压。选择的MOS管的V（BR）DSS应该高于电路中可能出现的最大电压，通常需要留有一定的裕量。
2、最大漏极电流（ID）：这是MOS管在正常工作条件下能连续通过的最大电流。确保所选MOS管的ID大于电路中预期的最大电流。
3、导通电阻（RDSQ（on)）：当MOS管完全导通时，漏极和源极之间的电阻。RDS（on）越低，MOS管在导通状态下的功率损耗越小。
4、阈值电压（VGS（th））：开始导通所需的最小栅源电压。这决定了MOS管的“灵敏度”和驱动要求。
5、栅源击穿电压（V（BR）GS）：栅极和源极之间所能承受的最大电压。确保驱动电路的电压不会超过这个值。
6、栅极电荷（Qg）：开关过程中栅极所需的电荷量。低Qg有助于降低开关损耗。
7、输入电容（Ciss）、输出电容（Coss）和反向传输电容（Crss），这些电容参数影响MOS管的开关速度和开关损耗。
8、最大功率耗散（PD）：MOS管在一定温度条件下能安全耗散的最大功率。
9、最大结温（Tjmax)：MOS管内部能承受的最高温度。
10、热阻（ReJC）：MOS管内部结点到外壳的热阻，影响散热性能。
11、安全工作区（SOA）：确保MOS管在瞬态条件下的安全操作范围。
12、二次击穿和热稳定性：确保MOS管在过载情况下能够安全运行。
13、栅极电压范围：确保MOS管的栅极电压范围与驱动电路兼容。
14、体二极管特性：对于驱动感性负载或需要续流路径的应用，体二极管的特性很重要。
15、封装类型：不同的封装会影响散热能力和安装方式。
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