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用N沟道还是P沟道

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forgot|  楼主 | 2025-4-30 11:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
低压侧开关选N-MOS,高压侧开关选P-MOS。根据电路要求选择确定VDS,VDS要大于干线电压或总线电床,这样才能提供足够的保护,使MOS管不会失效。

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沙发
xiaoqizi| | 2025-6-7 23:03 | 只看该作者
N-MOS的导通条件为:栅极电压高于源极电压,且差值超过阈值电压

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板凳
木木guainv| | 2025-6-8 09:25 | 只看该作者
自由电子,迁移率较高,因此导通电阻较小,开关速度快

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地板
Jiangxiaopi| | 2025-6-8 11:35 | 只看该作者
P-MOS常用于高端驱动(源极接电源VCC),或需要反向电压控制的场景

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荣陶陶| | 2025-6-8 14:06 | 只看该作者
N-MOS导通电阻小,开关速度相对来说比较快

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6
Zhiniaocun| | 2025-6-8 16:33 | 只看该作者
N-MOS可以应用在低端开关中,源极接地,栅极通过信号控制漏极负载

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7
Zuocidian| | 2025-6-8 19:11 | 只看该作者
P-MOS的
驱动要求为
需栅极电压低于源极

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8
Puchou| | 2025-6-8 21:41 | 只看该作者
N-MOS的局限性:无法直接用于高端驱动(需额外升压电路),且栅极电压需高于源极

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9
Xiashiqi| | 2025-6-9 09:18 | 只看该作者
在CMOS电路中,N-MOS和P-MOS组合使用,可兼顾速度与功耗

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10
小海师| | 2025-6-9 11:41 | 只看该作者
根据电路需求(如开关位置、速度要求、功耗限制)选择合适的类型,或结合两者优势设计CMOS电路。

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11
Haizangwang| | 2025-6-9 13:55 | 只看该作者
N管和P管的驱动要求是正好相反的

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