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[电机控制专用MCU]

MCU驱动P+N对管的注意事项

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本帖最后由 zhao133 于 2025-5-9 16:37 编辑

      前两天介绍过对管,今天也接着之前的话题继续探讨研究关于MCU驱动P+N对管如何实现及注意事项。我们使用APM32F035如何实现驱动对管呢。
      之前已经发过关于对管的介绍,针对P+N的对管,F035可以直接驱动下管,因为下管是N沟通的MOSFET,它的的通断是相对于GND的电压(N沟通的MOSFET的S脚连接到GND上),当接受到相对于GND电压高出2.5V时,即可导通,因此我们的F035的IO(PWM)口是可以直接驱动N沟道的下管。上管是P沟通的MOSFET,它的通道是相对于DC+的电压,当接受到相对于DC+电压低于2.5V时,即可导通。
      了解完P+N对管导通的原理,那么我们就可以设计对应的方案了,上管P沟道MOSFET通过电阻分压,然后用NPN三极管驱动对上管进行控制。参考电路如下。
       这种控制方案的优势在于成本低,实现电路也比较简单,但是也存在一定的弊端,就是电压改变,R1与R2之间的分压会有变化;另外驱动波形会也较差(上升沿和下降沿不够陡),这将导致我们设计的驱动器效率不够高(MOSFET损耗较大),即:1、驱动波形不够陡;2、下桥臂驱动电压较低(只有3.3V,MOSFET的导通电阻与驱动电压有关系)。

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