MCUFlash/EEPROM数据丢失或写入失败解决方案

1万 · 2025-5-16 13:00

原因：
未关闭中断或未按页擦除顺序操作。
写入次数超过Flash寿命（通常约10万次）。
电压波动导致写入过程异常。
解决：
在Flash操作前禁用全局中断（__disable_irq()）。
增加软件校验（如CRC校验）和冗余存储。
确保写入时电压稳定（>2.7V）。

只看该作者 · 2025-5-16 20:24

那就是打断了写入，没能继续。

只看该作者 · 2025-6-11 12:30

数据丢失或写入失败是嵌入式系统中常见的可靠性问题，可能由硬件、软件或环境因素导致

只看该作者 · 2025-6-11 13:35

写入过程中电压波动（如低于最低工作电压）导致数据损坏。

只看该作者 · 2025-6-11 14:43

存储器老化，Flash/EEPROM擦写次数超过寿命（如10万次擦写后失效）。

只看该作者 · 2025-6-11 15:49

某设备日志频繁写入EEPROM，1年后部分数据丢失。采用磨损均衡算法（如将数据分散到不同块）。

只看该作者 · 2025-6-11 17:02

改用FRAM（铁电存储器）或NOR Flash（寿命达100万次以上）。

只看该作者 · 2025-6-11 18:13

电磁干扰（EMI）高频噪声耦合到存储器控制线，导致写入错误。

只看该作者 · 2025-6-11 19:24

在控制线（如SCL/SDA、CS#）增加磁珠或RC滤波器。使用屏蔽线或缩短走线长度（建议≤5cm）

只看该作者 · 2025-6-12 08:30

写入时序错误，未遵循存储器手册的写入时序（如EEPROM的写周期不足5ms）

只看该作者 · 2025-6-12 09:39

确实，中断和电压波动是导致Flash写入失败的常见原因。在进行Flash操作时，确保这些条件被满足是非常重要的。

只看该作者 · 2025-6-12 10:20

严格遵循芯片手册的时序要求（如使用延时函数或硬件定时器）。

只看该作者 · 2025-6-12 11:36

确实，中断和电压问题都可能导致Flash写入失败。在进行Flash操作时，确保这些条件被满足是非常重要的。

只看该作者 · 2025-6-12 12:35

一定要通过状态寄存器（如BUSY位）判断写入是否完成。

只看该作者 · 2025-6-12 15:01

确实，中断和电压问题都可能导致Flash写入失败。在进行Flash操作前确保这些条件是关键。

只看该作者 · 2025-6-12 15:40

确实，中断和电压问题是导致Flash写入失败的常见原因。在进行Flash操作前禁用中断和确保电压稳定是非常重要的。