英飞凌750V CoolSiC™ 碳化硅MOSFET分立器件具有业界领先的抗寄生导通能力和成熟的栅极氧化层技术，可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬开关拓扑中实现卓越性能。
此外，第二代产品大幅降低输出电容(Coss)，使其能够在Cycloconverter、CLLC、DAB和LLC等软开关拓扑中以更高开关频率运行。
该产品完美适用于对可靠性、功率密度和效率有严格要求的应用，包括车载充电器、DC-DC转换器、DC-AC转换器，以及AI服务器、太阳能逆变器和电动汽车充电设备。采用Q-DPAK封装可充分发挥SiC技术固有的快速开关速度，同时确保约20W的功率耗散能力。
产品亮点 CoolSiC™ MOSFET 750 V 稳健的750 V技术，经过测试的100%抗雪崩能力 出类拔萃的RDS(on) x Qfr 出色的 RDS(on) x Qoss 及 RDS(on) x QG 低Crss/Ciss 和高VGS(th)的独特组合 英飞凌专有裸片接合技术 提供驱动源引脚
关键特性
Q-DPAK顶部散热封装 顶部散热（TSC）器件是表面贴装功率器件，焊接在印刷电路板（PCB）上。半导体芯片产生的热量通过封装顶部传导至连接的散热器。TSC功率封装是改善热性能和电气性能的解决方案。这类封装还有助于提高功率密度并降低制造难度。
车规级MOSFET “Tiny Power Box”项目由英飞凌与奥地利硅实验室（Silicon Austria Labs）联合开发，采用全英飞凌CoolSiC™ 解决方案，打造了一款紧凑型单相7千瓦车载充电器。
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