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IPAC碳化硅直播季丨520强势回归!沟槽栅VS平面栅,谁能制胜未来?

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低碳化浪潮下,电气化重构能源脉络,能源转化效率成破局关键。碳化硅作为功率半导体能效革命先锋,正引领能效与设计双重创新。英飞凌深耕碳化硅技术,主张“最值得信赖的技术革命”。IPAC碳化硅直播季震撼回归!深度拆解技术奥秘,一起解锁碳化硅的无限可能!


第一期(5月20日 14:00)
沟槽栅VS平面栅,谁才是功率器件可靠性战场上的终极王者?

第二期(6月26日 14:00)
光伏、储能、数据中心“黄金赛道”激战正酣,如何运用CoolSiC™技术精准卡位,领跑行业新未来?

第三期(7月22日 14:00)
CoolSiC™ MOSFET驱动设计难题如何破局?1200V CoolSiC™ G2实战案例又藏着哪些制胜秘诀?



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  • 平面栅和沟槽栅,简约设计与繁复工艺的碰撞,单元均匀性与底部电场聚焦的较量,沟槽栅缘何在可靠性领域持续“占鳌”,成为行业标杆?
  • 高温下沟槽栅 SiC 电阻大幅漂移,真的会成为其可靠性路上的“绊脚石”?


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沙发
IFX新闻官|  楼主 | 2025-5-14 23:49 | 只看该作者

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