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稳压二极管失效模式分析:稳压二极管失效模式分析:开路、热击穿与漏电问题排查开路...

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本帖最后由 MDD辰达半导体 于 2025-5-16 09:59 编辑

在电子系统中,MDD稳压二极管(Zener Diode)凭借其在反向击穿区域的稳定电压特性,被广泛应用于电压参考、过压保护和稳压电路中。然而在实际应用中,稳压管并非“永不失手”。其失效往往会直接影响电路的供电稳定性甚至导致系统瘫痪。因此,深入了解其典型失效模式,如开路、热击穿和漏电流异常,是每位工程师必须掌握的故障排查技能。
一、开路失效:电路中的“隐形人”
开路是稳压二极管最常见的失效模式之一。其根本原因通常来自过载应力,如电流瞬时过大或反复冲击,导致PN结内部熔断或金属引脚虚焊。此类故障往往不容易在外观上直接判断,但从电路表现来看,稳压功能完全丧失,输出电压不再被限制,或呈现完全断开状态。
开路失效的排查方法较为简单:使用万用表在二极管两端进行正反向电阻测量,若两向均呈现无穷大电阻,可初步判定为开路。若应用在电压参考回路中,还可通过测量输出电压偏离稳定值来判断。
二、热击穿:稳压变“炸雷”
热击穿是稳压管常见的灾难性失效形式之一。稳压管正常工作于反向击穿区,但若功率设计不合理,散热不足,器件将因长期高温积热而失控。温度升高将进一步引发热载流子累积,导致结区不可逆损伤,形成永久击穿。
此类失效通常表现为稳压二极管正反向均呈低阻状态,即导通异常。万用表测试时,两端电阻接近短路,电压钳位功能丧失,输出电压可能严重偏低。热击穿往往伴随轻微烧焦或封装变色,需要留意器件外观变化。
为预防热击穿,应确保稳压管功耗

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