铠侠 CM9 系列 PCIe® 5.0 NVMe™ 固态硬盘搭载 CBA 芯片架构，树立行业新标杆
2025 年 5 月 16 日
铠侠株式会社
2025年5月15日——铠侠宣布，其新型 KIOXIA CM9 系列 PCIe® 5.0 NVMe™ 固态硬盘已进入开发和原型演示阶段，这是首批采用基于铠侠第八代 BiCS FLASH™ 3D闪存技术的 TLC 的企业级固态硬盘(1)，搭载了 CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）技术。这是架构上的创新，在能效、性能、密度和可持续性方面均取得了显著进步，同时使每个闪存设备的可用容量(2) 实现了翻倍。
随着现代计算需求的不断增长，人工智能、机器学习和高性能计算等应用需要更先进的固态存储基础设施——不仅要达到企业级的性能，还需要提高能效，以确保可扩展性和可控运营成本。KIOXIA CM9 系列的设计核心便是满足这些需求，该系列专为支持下一代数据中心工作负载而打造。
CM9 系列的核心是铠侠第八代 BiCS FLASH™——铠侠目前最先进的 3D 闪存技术。该技术采用基于 CBA 的架构，可显著提高 NAND 接口速度，增强密度和能效，降低延迟，从而直接提升固态硬盘的性能。
与上一代 KIOXIA CM7 系列相比，KIOXIA CM9 系列固态硬盘的随机写入性能提升高达 65%，随机读取性能提升高达 55%，顺序写入性能提升高达 95%。此外，其每瓦性能也得到提升：顺序读取效率提升约 55%，顺序写入效率提升约 75%。
KIOXIA CM9 系列固态硬盘的主要亮点包括（初步信息，可能会有变动）：
符合 PCIe® 5.0、NVMe™ 2.0、NVMe-MI™ 1.2c 和 OCP 数据中心 NVMe™ SSD 2.5 规范
支持 2.5 英寸和 E3.S 外形尺寸的双端口
读取密集型（1 DWPD）和混合型（3 DWPD）工作的耐久性
顺序读写性能（128 KiB/QD32）– 读取速度 14.8 GB/s，写入速度 11 GB/s
随机性能（4KiB）– 3,400 KIOPS (QD512) 和 800 KIOPS (QD32)
2.5 英寸容量高达 61.44 TB，E3.S 容量高达 30.72 TB
KIOXIA CM9 系列固态硬盘目前正在向部分客户提供样品，铠侠总代VW王工 wdylsq |
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