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CS7N65A4R

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 楼主| 32803 发表于 2025-5-21 13:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
CS, 开关, 导通, 开关电路, 电路, 雪崩
一般描述：CS7N65A4R 是硅 N 沟道增强型 VDMOSFET，采用自对准平面技术获得，可降低导通损耗，提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为 TO-252，符合 RoHS 标准。
特点： l 快速开关 l 低导通电阻（Rdson≤1.4Ω） l 低栅极电荷（典型数据：24nC） l 低反向传输电容（典型值：5.5pF） l 100%单脉冲雪崩能量
测试应用：适配器和充电器的电源开关电路。
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