四种新器件提高工业设备的效率和功率密度
日本川崎—东芝电子设备和存储公司(简称“东芝”)推出了四款650V碳化硅(SiC)MOSFET，配备了其最新的[1] 第三代碳化硅MOSFET芯片，采用紧凑型DFN8×8封装，适合工业设备，如开关电源和光伏发电机功率调节器。四款设备的批量出货量，TW031V65C,TW054V65C,TW092V65C，和”TW123V65C
今天开始这些新产品是首款采用小型表贴DFN8×8封装的第三代SiC MOSFETs，与TO-247和TO-247-4L(X)等引脚插入式封装相比，体积缩小了90%以上，并提高了设备功率密度。表面贴装也允许使用寄生阻抗[2]比引线插入式封装更小的元件，降低了开关损耗。DFN8×8是一个4引脚[3]包，允许使用开尔文连接其信号源端子为栅极驱动。这降低了封装内源极线电感的影响，实现了高速开关性能；对于TW054V65C，它将导通损耗降低了约55%，关断损耗降低了约25%[4]与目前的东芝产品相比[5]，有助于减少设备中的功率损耗。 东芝将继续扩大产品线，为提高设备效率和增加电力容量做出贡献。
测量条件:V直接伤害= 400伏，伏(美国联邦政府职员)总表(General Schedule)=18V/0V，ID=20A，Ta= 25°C，L=100μH，Rg(外部栅极电阻) =4.7Ω
续流二极管使用每个产品的源极和漏极之间的二极管。
应用程序
服务器、数据中心、通信设备等中的开关电源。
电动汽车充电站
光伏逆变器
不间断电源
特征
DFN8×8表贴封装。使设备小型化和自动化装配成为可能。低开关损耗。
东芝第三代碳化硅MOSFETs
通过优化漂移电阻和沟道电阻比，漏极-源极导通电阻具有良好的温度依赖性
低漏源导通电阻×栅漏电荷
低二极管正向电压:VDSF=-1.35伏(典型值。)(V(美国联邦政府职员)总表(General Schedule)=-5V)
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