这个电路实现5V芯片与3.3V芯片的单向通信会有问题吗？

只看该作者 · 2025-6-4 11:25

下面这个简单的应用电路用来实现5V芯片与3.3V芯片的单向通信，可以使用吗？会不会有问题？可以如何改进？

只看该作者 · 2025-6-4 14:37

如图所示为电平转换电路，供参考!

只看该作者 · 2025-6-4 15:04

ColeYao 发表于 2025-6-4 14:37
如图所示为电平转换电路，供参考!

用MOS管实现，谢谢！

只看该作者 · 2025-6-5 08:13

ColeYao 发表于 2025-6-4 14:37
如图所示为电平转换电路，供参考!

做来玩玩可以，做批量还是找个电平转换IC吧。

只看该作者 · 2025-6-5 08:38

ucmic 发表于 2025-6-5 08:13
做来玩玩可以，做批量还是找个电平转换IC吧。

用电平转换芯片是不是最可靠最安全的方式了？

只看该作者 · 2025-6-5 09:24

本帖最后由 ColeYao 于 2025-6-6 08:43 编辑

ucmic 发表于 2025-6-5 08:13
做来玩玩可以，做批量还是找个电平转换IC吧。

不是我随意想的，其他网友也有人这么做，这个电路的注意点就是MOS管要注意防静电，如果静电防护做不好（设计和工艺）或者压根就不懂啥是静电防护的话就不要考虑这个方案了！

只看该作者 · 2025-6-5 09:31

dffzh 发表于 2025-6-5 08:38
用电平转换芯片是不是最可靠最安全的方式了？

一般I2C这种需要1-2路的用MOS管，多路的用4245芯片。

只看该作者 · 2025-6-5 09:44

ColeYao 发表于 2025-6-5 09:31
一般I2C这种需要1-2路的用MOS管，多路的用4245芯片。

好的，非常感谢技术支持！

只看该作者 · 2025-6-5 09:44

ColeYao 发表于 2025-6-5 09:24
不是我随意想的，其他网友也有人这么做，这个电路的注意点就是MOS管要注意防静电，如果静电防护做不好 ...

好的，非常感谢技术支持！

只看该作者 · 2025-6-5 10:41

本帖最后由 lwh1993 于 2025-6-5 10:44 编辑

中间直接串一个电阻10K即可，1：3.3V的芯片做输出，5V做输入，5V芯片要开启TTL电平识别即可 2：5V芯片做输出，3.3V做输入，3.3V芯片内部带有钳位二极管 3：此电路久经考验，没出过问题

只看该作者 · 2025-6-5 10:54

lwh1993 发表于 2025-6-5 10:41
中间直接串一个电阻10K即可，1：3.3V的芯片做输出，5V做输入，5V芯片要开启TTL电平识别即可 2：5V芯片做 ...

好的，我看下，感谢支持！

只看该作者 · 2025-6-5 14:07

dffzh 发表于 2025-6-5 08:38
用电平转换芯片是不是最可靠最安全的方式了？

推荐这类IC：MS4553S。
2楼的电路亲测，样品期间没问题，做批量1000结果全部报废重新来，还好数量不多。

只看该作者 · 2025-6-5 14:24

本帖最后由 dffzh 于 2025-6-5 14:26 编辑

ucmic 发表于 2025-6-5 14:07
推荐这类IC：MS4553S。
2楼的电路亲测，样品期间没问题，做批量1000结果全部报废重新来，还好数量不多。 ...

感谢提供芯片IC;
还真的有朋友遇到这类问题啊，批量1000套后是出现什么问题导致重来了？项目上就怕批量生产时出幺蛾子，让人抓狂。

只看该作者 · 2025-6-6 08:58

本帖最后由 ColeYao 于 2025-6-6 09:22 编辑

dffzh 发表于 2025-6-5 14:24
感谢提供芯片IC;
还真的有朋友遇到这类问题啊，批量1000套后是出现什么问题导致重来了？项目上就怕批量生产 ...

这个电路的缺点是MOS管G端怕静电，这就导致3.3V需要设计在板子内侧，不能接触人体。在冬天人体静电强的时候，PCB板上3.3V的任何位置被人摸过，MOS管就基本上挂了，所以要做好静电防护设计，加强静电防护产线教育（当然可能还有其它原因，如果不放心，建议使用转换芯片，那个带较强的静电防护能力）！附件是LVC4245芯片的防静电能力描述！
下面是在网上找地关于MOS管比较全的ESD防护要点，供参考！

MOS管的ESD防护措施与设计要点

MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)的ESD(静电放电)防护措施与设计要点对于确保其稳定性和可靠性至关重要。以下是一些关键的防护措施与设计要点：

1、使用导电容器储存和运输：确保MOS管在储存和运输过程中使用封闭的导电容器，以减少静电积聚和放电的可能性。

2、静电控制工作站：在静电控制工作站内处理MOS管，并确保工作站接地。工作人员在处理MOS管时也应穿戴防静电服，并保持接地状态。

3、环境控制：处理MOS管的工作区域应铺设接地的防静电地毯，桌子应使用接地的静电耗散桌布。同时，避免使用绝缘材料，以减少静电积聚的风险。

4、栅极保护：直接保护MOS管的方法包括缩短栅极和源极间的距离，或在栅源之间施加一个齐纳二极管进行保护。这种方法可以有效防止栅极电压过高，从而保护MOS管免受ESD损害。

5、材料选择：在处理MOS管时，应使用防静电或导电材料，并避免使用易于储存静电电荷的材料，如聚乙烯、聚苯乙烯等绝缘材料。如果必须使用塑料产品，应选择浸渍了导电材料或用防静电化合物处理过的物品。

6、湿度控制：保持处理MOS管设施的相对湿度在40%以上，有助于降低静电积聚的风险。

7、设计考虑：在MOS管驱动电路设计中，应考虑栅极电容、寄生电容、米勒效应等因素，以优化开关性能并减少静电干扰。同时，选择合适的栅极驱动器，提供足够的电流和电压驱动能力，避免过冲和延迟。

8、过压过流保护：在电路中引入过压过流保护机制，如栅极钳位，使用齐纳二极管或TVS管等器件，以防止栅极电压过高或电流过大损害MOS管。

综上所述，MOS管的ESD防护措施与设计要点涉及多个方面，包括储存运输、工作环境、栅极保护、材料选择、湿度控制以及电路设计等。通过综合考虑这些因素，可以有效提高MOS管的抗ESD能力，确保其稳定性和可靠性。

只看该作者 · 2025-6-6 09:39

ColeYao 发表于 2025-6-6 08:58
这个电路的缺点是MOS管G端怕静电，这就导致3.3V需要设计在板子内侧，不能接触人体。在冬天人体静电强的时 ...

非常感谢这么详细的回复;
防静电干扰确实是设计时需要考虑的

。

这个电路实现5V芯片与3.3V芯片的单向通信会有问题吗？

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