发新帖我要提问
返回列表
打印
[STM32L0]

写EEPROM模拟的时候Flash老被擦坏，是写得太频繁？

[复制链接]
210|10
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
Clyde011|  楼主 | 2025-6-5 07:30 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
EEPROM, EPROM, ROM, flash, 模拟
用了官方提供的EEPROM模拟方案，结果一测寿命就快到头了，是不是哪里写入逻辑不合理？

使用特权

评论回复 赏
沙发
Clyde011|  楼主 | 2025-6-5 07:32 | 只看该作者
我最后换了带真EEPROM的芯片偷懒。

使用特权

评论回复 赏
板凳
公羊子丹| | 2025-6-5 07:33 | 只看该作者
Flash寿命有限，不建议频繁写。

使用特权

评论回复 赏
地板
周半梅| | 2025-6-5 07:34 | 只看该作者
ST官方的EEPROM模拟库有寿命管理机制。

使用特权

评论回复 赏
5楼
帛灿灿| | 2025-6-5 07:35 | 只看该作者
数据一样的就别重复写。

使用特权

评论回复 赏
6楼
童雨竹| | 2025-6-5 07:36 | 只看该作者
分页轮换写可以减轻磨损。

使用特权

评论回复 赏
7楼
万图| | 2025-6-5 07:37 | 只看该作者
检查是不是每次都擦整页？

使用特权

评论回复 赏
8楼
Wordsworth| | 2025-6-5 07:38 | 只看该作者
我加了缓存判断是否需要更新。

使用特权

评论回复 赏
9楼
Bblythe| | 2025-6-5 07:38 | 只看该作者
把写入频率降下来效果很好。

使用特权

评论回复 赏
10楼
Pulitzer| | 2025-6-5 07:39 | 只看该作者
HAL库自己不会判断内容变化。

使用特权

评论回复 赏
11楼
Uriah| | 2025-6-5 07:40 | 只看该作者
EEPROM模拟区域分大点也能延长寿命。

使用特权

评论回复 赏
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

Clyde011

86

主题

4757

帖子

0

粉丝