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[STM32F0] F0的Flash擦写寿命到底怎么测

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 楼主| Pulitzer 发表于 2025-6-8 07:39 | 显示全部楼层 |阅读模式
flash, 方法
有啥靠谱方法能估计Flash快写坏没？我写了几百次就开始出问题了。
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Clyde011 发表于 2025-6-8 07:41 | 显示全部楼层
真想测只能长期写压测脚本。
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公羊子丹 发表于 2025-6-8 07:41 | 显示全部楼层
有人说可以用CRC对比判断可靠性。
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周半梅 发表于 2025-6-8 07:42 | 显示全部楼层
我写了大概两千次才出问题。
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帛灿灿 发表于 2025-6-8 07:43 | 显示全部楼层
ST datasheet写的是1万次，但环境差也会提前坏。
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童雨竹 发表于 2025-6-8 07:44 | 显示全部楼层
你有加Wear Leveling算法吗？
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万图 发表于 2025-6-8 07:44 | 显示全部楼层
把Flash当EEPROM用本来就挺伤。
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Wordsworth 发表于 2025-6-8 07:45 | 显示全部楼层
有人用外接EEPROM专门做日志。
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Bblythe 发表于 2025-6-8 07:46 | 显示全部楼层
多扇区轮流写，也能延长点寿命。
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 楼主| Pulitzer 发表于 2025-6-8 07:46 | 显示全部楼层
用仿真器能测Flash写入次数吗？
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Clyde011 发表于 2025-6-8 07:47 | 显示全部楼层
我定期备份到另一块Flash区域。
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codingtuzi 发表于 2025-6-8 12:48 | 显示全部楼层
几百次就坏掉了，基本上不太可能。
Flash寿命到了一般是flash擦除无效。
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