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[STM32L1]

L1系列EEPROM模拟读写寿命该怎么评估？

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楼主
Uriah|  楼主 | 2025-6-9 07:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
EEPROM, EPROM, ROM, 模拟, 读写
STM32L151用Flash模拟EEPROM，用着挺稳的，就是不知道写多了会不会挂？

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沙发
Clyde011| | 2025-6-9 07:22 | 只看该作者
实测下来寿命还挺抗造的。

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板凳
公羊子丹| | 2025-6-9 07:22 | 只看该作者
ST手册里好像说1万次写入。

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地板
周半梅| | 2025-6-9 07:23 | 只看该作者
自己写个循环测测寿命吧。

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5楼
帛灿灿| | 2025-6-9 07:24 | 只看该作者
我把频繁数据存到RAM里先。

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6楼
童雨竹| | 2025-6-9 07:25 | 只看该作者
尽量把地址轮着写。

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7楼
万图| | 2025-6-9 07:25 | 只看该作者
加擦写次数记录防止异常。

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8楼
Wordsworth| | 2025-6-9 07:26 | 只看该作者
Flash页切换写法你研究了吗？

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9楼
Bblythe| | 2025-6-9 07:27 | 只看该作者
写前先比对，不变就别写。

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10楼
Pulitzer| | 2025-6-9 07:28 | 只看该作者
小数据写整页，效率高点。

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11楼
Uriah|  楼主 | 2025-6-9 07:29 | 只看该作者
你可以定期备份数据页。

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