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芯闻速递 | 英飞凌推出650V CoolGaN™ G5双向开关;推出全新紧凑型CoolSET™封装系统(SiP)

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AN, GaN, SIP, coo, ip
本帖最后由 IFX新闻官 于 2025-6-17 09:25 编辑

英飞凌推出650V CoolGaN™ G5双向开关,
提升功率系统的效率和可靠性

英飞凌推出了一款能够主动双向阻断电压和电流的氮化镓(GaN)开关——650V CoolGaN™ G5双向开关(BDS)。该产品采用共漏极设计和双栅极结构,是一款使用英飞凌强大栅极注入晶体管(GIT)技术和CoolGaN™技术的单片双向开关,能够有效替代转换器中常用的传统背靠背开关。


650 V CoolGaN™ G5双向开关

这款CoolGaN™双向开关能够为功率转换系统带来多项关键优势。它通过将两个开关集成到一个器件中,简化了循环转换器拓扑结构的设计,实现了单级功率转换,无需多个转换级。这一设计不仅提高了效率和可靠性,而且更加紧凑。基于BDS的微型逆变器还能提高功率密度,减少元件数量,从而简化制造过程并降低成本。此外,该产品还支持先进的电网功能,如无功功率补偿和双向操作等。

因此,该解决方案在多个应用领域拥有巨大潜力,包括:

1
微型逆变器
这款CoolGaN™双向开关使微型逆变器的设计变得更加简单、高效,从而减小了尺寸,降低了成本,令微型逆变器更加适用于住宅和商业太阳能装置。
2
储能系统(ESS)
这款开关可在电池充放电等ESS应用中提高能量存储和释放的效率和可靠性。
3
电动汽车(EV)充电
这款BDS开关可提高电动汽车充电系统的充电速度和效率,同时还可实现汽车到电网(V2G)功能,使汽车电池中存储的能量能够返回到电网中。
4
电机控制
CoolGaN™ BDS非常适用于工业电机驱动器的电流源逆变器(CSI)。与传统电压源逆变器(VSI)相比,CSI具有以下优点:

  • 产生正弦输出电压,从而支持更长的电缆敷设路径、降低损耗和提高容错能力。
  • 使用电感器取代直流链路电容器,增强高温性能和短路保护能力。
  • 部分负载下效率更高,电磁干扰更低,固有的升降压能力可应对电压变化,并且可扩展至并联运行。

这些特性使CSI成为更加稳健、高效的工业电机应用控制方案。
5
AI数据中心
在AI服务器电源中,CoolGaN™ 等双向开关可支持维也纳整流器和 H4 PFC等架构的更高开关频率和功率密度。一个CoolGaN™  BDS 可取代两个传统开关,从而减少元件数量、控制成本、缩小尺寸和降低总体功率损耗。

供货情况
650 V CoolGaN™ G5双向开关(BDS)和110 mΩ 产品样品现已开放订购。了解更多信息,请点击这里。

英飞凌推出全新紧凑型CoolSET™封装系统(SiP),可在宽输入电压范围内提供最高60W高效功率输出

英飞凌推出新型CoolSET™封装系统(SiP)。这款紧凑的全集成式系统功率控制器可在85-305 VAC通用输入电压范围内提供最高60 W高效功率输出。系统中的高压 MOSFET采用小型SMD封装,拥有低RDS(ON)且无需外部散热器,从而缩小了系统尺寸并降低了复杂性。CoolSET™ SiP支持零电压开关(ZVS)反激式操作,在实现低开关损耗和低EMI特性的同时,提高系统可靠性和稳健性。这使其成为大型家用电器和AI服务器等应用的理想解决方案。此外,这款控制器使开发者更容易满足严格的能源标准,帮助他们设计开发出与时俱进的最新功率解决方案。



CoolSET™ SiP DSO-27-1组合

CoolSET™ SiP集成了一个950V高压启动单元、一个800V高耐压超级结MOSFET、一个ZVS初级反激式控制器、一个次级侧同步整流(SR)控制器,以及通过英飞凌专有技术CT Link实现的强化隔离通信。这一高度集成化的设计显著减少了分立器件的数量、降低了材料成本,并极大减少了所需的PCB空间,为开发更复杂的终端产品提供了支持。其综合全面的先进保护功能简化了系统集成,帮助设计人员更加灵活地优化解决方案,提升整体用户体验。

供货情况
现在可以订购英飞凌CoolMOS™封装系统(SiP)产品样品。了解更多信息,请点击这里。


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沙发
IFX新闻官|  楼主 | 2025-6-17 09:42 | 只看该作者

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