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搞电机应用或者电源应用的小伙伴基本都脱离不了半桥、全桥， 常见的半桥电路如下，由两个 MOS 组成，Q1 的 D极连接了 VBUS ，S 极连接了Q2的 D 极，Q2 S 极连接到 GND ，中间 SW 引脚则接去电机或者电感。 MOS 是一个开关，由 GS 电压控制开关和导通，由于 MOS 开关的电压比较高，大部分的 MCU 引脚耐受电压是 3.3V ，高一点的也只能 5V ，所以不能直接连接，这时候就需要一个 Gate Driver 来控制控制这种半桥电路，如下图，纳芯微 NSI6602 控制电路图：
MCU 使用 PWM 来给到 Gate Driver 的输入 INA INB，其输出 OUTA OUTB 的电压就会满足 MOS 导通的电压，但是需要注意的是，PWM 也不是随意给的，可以看到半桥电路的两个 MOS ，如果两个同时打开， VBUS 直接连通到 GND ，这样造成电源短路是很危险的，所以需要避免这种情况，INA 高电平 INB 就需要低电平，反之亦然，这种 PWM 称为互补 PWM ，如下图：
这时候问题又来了，MOS 管并不是理想的开关，它开关是需要时间的，参考华润微电子的 MOS 参数： 开启关闭的延时时间，以及高低电平的 rise time 和 fall time，这些都是要考虑的，那么这就要求互补 PWM 中需要插入一些时间来保证开关，比如 Q1 需要关闭，Q2 打开，Q1 关闭至少需要 110+126us的时间，通常都会预留多一点时间，这里使用500us ，那么 Q2 至少需要 500us 后才能打开，如果提前打开则会短路损坏电路，这种延时时间成为死区时间，如果手动去控制这些时间则会变得很麻烦，所以需要看 MCU 有没有带死区控制的 PWM 功能，我们这里使用的是 Nation N32G455REL7 ，它的高级定时器 TIM1 & TIM8 是可以输出带死区时间的 PWM 的，接下来就以 7PWM_OUTPUT 例程来介绍如何进行配置。 （1）打开例程，这里配置了多路的互补 PWM ，我们只需要用到其中一路，这里选择TIM1 Channel1 （2）在初始化函数 TIM_InitOc1 之后，加入以下代码，即配置死区时间部分，
死区时间计算公式在 TIMx_BKDT 寄存器中有描述，这里简单介绍一下：
这里的 TDTS 是 TIMx_CTRL1 中来的：
 我们这里 CLKD = 0x00, TIM1 的时钟频率为主频 144MHz，所以 TDTS = 1/144MHz, 如我们代码中配置的 DTGN[7:0] = 0x4A ，那么死区时间 Tdt = 0x4A * (1/144MHz ) = 74 * 6.944ns = 513.856ns 将代码下载抓取波形，可以看到死区时间为 514ns ，说明配置成功：
互补 PWM 死区时间
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