请教有关STM32F207的FSMC访问速度

发表于 2012-6-13 16:30

我在做的项目开发是从STM32F207外接的NAND FLASH中读取数据，并将数据传给同样利用FSMC接口连接的FPGA，目前的代码采用memory-to-memory的DMA方式控制数据传递，通过示波器观察读写信号，一个page（8KBytes）的数据可以在900us不到时间完成传递，但在两次DMA数据传递期间存在将近200us的间隔期，这样将大大降低系统的数据传递速率。
为了缩短这个间隔，我将代码压缩到最精简的程度，但没有什么效果：
  while(1)
{
   NAND_ReadSmallPage_SinglePage(MultiBlock_Buffer,&NAND_Address);
   NAND_AddressIncrement(&NAND_Address);
}
不知道哪位大虾对这个有所研究呢？

发表于 2012-6-13 16:37

作为NAND FLASH，由于存在初始失效页，加上在不断使用的过程中会增加坏块的数量，因此在每次读取块数据时，需要先读取spare area中的数据已确认该page的数据有效性，因此我增加了一些读取spare area的程序，如下：
  while(1)
{
NAND_ReadSpareArea_ECC(Buffer, &NAND_Address);
if((Buffer[1]==0xFF)||(Buffer[6]==0xFF)||(Buffer[11]==0xFF)||(Buffer[16]==0xFF))
   {
   NAND_ReadSmallPage_SinglePage(MultiBlock_Buffer,&NAND_Address);
   NAND_AddressIncrement(&NAND_Address);
   }
else
   NAND_AddressIncrement(&NAND_Address);
}
这时通过示波器观察读信号，会发现在一个page的8K数据传递结束后，有将近200us的空闲，随后是读取spare area数据的操作，接着是同样将近200us的空闲期。由此我怀疑，是不是每次使用FSMC访问NAND FLASH时，都需要有一个潜在的初始化时间呢？否则为啥总是存在固定的停顿时间？
谁对这个有研究？请教啦！

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