高边驱动NMOS电路设计

登录 · 发表于 2025-6-24 14:41

本帖最后由世纪女孩于 2025-6-24 14:43 编辑

在做BMS设计中，会使用到高边驱动芯片，用来控制背靠背的NMOS，但是这种NMOS有common source 和common drain两种方式
这是common drain

这是common source

两种方式貌似都可以实现双向开关的作用，但区别是什么？

发表于 2025-8-29 13:45

用电荷泵或自举电路提供栅极电压，确保 NMOS 导通；加续流二极管续流，栅极串电阻限流，加稳压管保护栅极。

发表于 2025-9-22 16:49

高边驱动 NMOS 需解决栅极电压高于源极（接负载端）的问题。核心是增设电荷泵或自举电路，将栅极电压抬升至电源电压以上（如 + 10V 电源抬至 14V），确保 NMOS 导通。电路含 NMOS、自举电容 / 电荷泵、二极管、驱动芯片，负载接 NMOS 源极与地之间，通电后自举电路供电使 NMOS 导通，实现负载高边控制，适用于大电流场景。

发表于 2025-10-18 20:52

还是得具体场合具体分析的，有应用环境的制约

[模拟产品/SiC] 高边驱动NMOS电路设计

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