[模拟产品/SiC] 高边驱动NMOS电路设计

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 楼主| 世纪女孩 发表于 2025-6-24 14:41 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 世纪女孩 于 2025-6-24 14:43 编辑

在做BMS设计中,会使用到高边驱动芯片,用来控制背靠背的NMOS,但是这种NMOS有common source 和common drain两种方式
这是common drain

这是common source

两种方式貌似都可以实现双向开关的作用,但区别是什么?

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波尔街道的松柏 发表于 2025-8-29 13:45 | 显示全部楼层
用电荷泵或自举电路提供栅极电压,确保 NMOS 导通;加续流二极管续流,栅极串电阻限流,加稳压管保护栅极。
绒兔星球 发表于 2025-9-22 16:49 | 显示全部楼层
高边驱动 NMOS 需解决栅极电压高于源极(接负载端)的问题。核心是增设电荷泵或自举电路,将栅极电压抬升至电源电压以上(如 + 10V 电源抬至 14V),确保 NMOS 导通。电路含 NMOS、自举电容 / 电荷泵、二极管、驱动芯片,负载接 NMOS 源极与地之间,通电后自举电路供电使 NMOS 导通,实现负载高边控制,适用于大电流场景。
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