无线充电行业中，STM8S003，N76E003，HC89F003的对比

发表于 2025-6-25 08:52

在无线充电行业中，STM8S003使用最多了，但随着STM8S价格的飙升，很多工程师开始使用其它型号来替代，以降低成本。其中最常替代的两个型号便是新唐的N76E003和上海芯圣的HC89F003了。在无线充电中，有用个后面这两颗芯片的工程师，能分享下经验么？有什么优缺点？

发表于 2025-6-25 10:27

参数 STM8S003F3P6 N76E003AT20 HC89F003P
架构 STM8内核 8051增强型 8051增强型
主频 16MHz 16MHz 24MHz
Flash 8KB 18KB 16KB
RAM 1KB 1KB 1.25KB
ADC 10-bit ×5ch 12-bit ×8ch 12-bit ×8ch
PWM 10-bit ×3ch 16-bit ×6ch 16-bit ×6ch
通信接口 UART/SPI/I2C UART/SPI/I2C UART/SPI/I2C
工作电压 2.95-5.5V 2.4-5.5V 2.0-5.5V
低功耗 5μA(Halt) 7μA(Power Down) 10μA(Stop)
封装 TSSOP20 TSSOP20 TSSOP20
单价(1k pcs) $0.35-0.50 $0.25-0.40 $0.20-0.35

发表于 2025-7-4 13:12

STM8S003：适合预算有限、功能简单的入门级方案，依赖成熟生态快速开发。
N76E003：在成本与性能间平衡，尤其适合需高精度 ADC 采样的场景（如异物检测）。
HC89F003：针对国产供应链优化，内置协议引擎大幅简化代码开发，适合中高功率且需快速量产的项目。

发表于 2025-7-11 18:17

STM8S003 性能均衡，N76E003 性价比高，HC89F003 则在低功耗无线充电场景表现更优。

发表于 2025-8-28 11:00

STM8S003（意法）主频 16MHz，外设丰富，适合中等复杂度控制；N76E003（新唐）8051 内核，低功耗更优，性价比高，适合节能场景；HC89F003（华大）性价比突出，资源适中，适合简单控制。三选一需权衡功耗、外设需求与成本。

发表于 2025-8-30 11:50

在无线充电行业中，新唐的 N76E003 和上海芯圣的 HC89F003 常被用于替代价格飙升的 STM8S003

发表于 2025-8-30 11:50

N76E003集成了多种外设接口，如 I2C、SPI、UART、PWM 等，方便与无线充电模块进行通信和控制，可有效实现对无线充电发射端和接收端的控制逻辑。

发表于 2025-8-30 11:51

采用高速 1T 8051 单片机内核，提供 18KB Flash ROM、可配置 Data Flash 与高容量 1KB SRAM，支持 2.4V 至 5.5V 宽工作电压与 - 40℃至 105℃工作温度，并具备高抗干扰能力 7KV ESD/4KV EFT，能在不同环境下稳定工作。

发表于 2025-8-30 11:51

高精度模拟电路，内置高精度模拟电路，可用于处理无线充电接收端的信号，实现更精确的电能管理，同时支持多种保护功能，如过温、过压、过流保护等，确保无线充电过程的安全性。

发表于 2025-8-30 11:52

相比 STM8S003，N76E003价格相对稳定，有助于控制成本。

发表于 2025-8-30 11:52

开发工具的使用性和调试 debug 不如 STM8 方便，库的封装也没有 STM8 好，采用传统的 C51 风格编程，对于习惯使用 STM8 开发方式的工程师来说需要一定的适应时间。

发表于 2025-8-30 11:53

外部时钟引脚只有 OSC_IN，没有 OSC_OUT，虽然常规使用大部分不带晶振，但在某些对时钟要求较高的场景下可能会受到限制。

发表于 2025-8-30 11:53

HC89F003脚重映射功能强大：绝大部分引脚都可以重映射，例如 P00 可以作为 IO 口，也可以重映射为 usart_tx、usart_rx、iic、spi 等，这使得硬件设计更加灵活，降低了因硬件连接错误而导致的问题，即使硬件连接出现一些偏差，也可以通过软件重映射来解决。

发表于 2025-8-30 11:54

丰富的资源配置：HC89F003内部有 16K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 256 Bytes XRAM，18 个双向 I/O 口，5 个 16 位定时器 / 计数器，3 组 12 位带死区控制互补 PWM，1 个 8 位 PWM，2 个 UART，1 个 SPI，16 个外部中断，8+2 路 12 位 ADC 等，能满足无线充电系统的多种功能需求。

发表于 2025-8-30 11:54

成本优势：HC89F003价格可能相对较低，具有一定的成本优势，能帮助工程师降低产品成本。

发表于 2025-9-23 17:53

STM8S003 是意法半导体 8 位 MCU，性能较强，外设丰富，适合复杂控制；N76E003 是新唐 8 位 MCU，性价比高，抗干扰性好，适合中小功率场景；HC89F003 是华大 8 位 MCU，低功耗突出，成本低，适合简单应用。需按功能复杂度、成本和可靠性需求选择。

发表于 2025-9-27 13:53

STM8S003（意法）性能较强，主频 16MHz，外设丰富；N76E003（新唐）兼容性好，性价比高，适合中小功率；HC89F003（华大）价格低，资源适中，适合简单场景。无线充电中，依功率和功能选，高精度控选用 STM8S003，成本敏感选后两者。

发表于 2025-10-4 16:13

在无线充电行业中，STM8S003 是 16MHz 的 8 位 MCU，资源常规，开发生态成熟但价格波动大。N76E003 是 8051 增强型，Flash 达 18KB，ADC 精度高，抗干扰强，价格稳定且性价比高。HC89F003 主频 24MHz，低功耗表现更优，价格也较为低廉。

发表于 2025-10-13 16:01

在无线充电行业中，STM8S003 采用 STM8 内核，主频 16MHz，外设丰富，生态成熟，但价格相对较高。N76E003 是 8051 增强型内核，Flash 容量大，ADC 精度高，抗干扰能力强，性价比突出。HC89F003 主频最高，低功耗性能较好，价格更为亲民。

[技术问答] 无线充电行业中，STM8S003，N76E003，HC89F003的对比

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