根据AEC-Q100及IEC61508两套标准的描述，以130纳米工艺1Mbit RAM芯片为例，大气中子单粒子效应导致的软错误概率超过1000FIT（FIT，定义是在10^9h（小时）内，出现一次故障即为1FIT。因此，如果某个器件失效率为100FIT，则平均预期可安全工作10^7小时）。这个数据看起来貌似很大，但对于安全等级要求严格的器件（应用于汽车刹车），这个数据就显得尤为可怕了。
汽车芯片根据其应用场景的危险程度，划分为不同安全等级（QM、ASIL-A至ASIl-D），其中ASIl-D的等级最高，说明其安全要求最严格。行业内通过对芯片的三个指标的计算来划分安全等级，如下图所示。由此可见，1000FIT的故障率远远超过ASIL-B 的等级要求。也意味着，对于130nm工艺下的CMOS工艺设计，随着时序存储容量的变大，对于安全设计的要求则越高。
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