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SiC技术核心产品与解决方案

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jcky001|  楼主 | 2025-7-21 15:27 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
产品, sic, 技术, 方案, 核心, os
CoolSiC™ MOSFET系列：覆盖400V至3300V电压范围，适用于光伏逆变器、储能、电动汽车充电、工业驱动等领域。第二代技术（G2）将能量和电荷储量提升20%，降低开关损耗。
SiC沟槽型超结（TSJ）技术：通过结合沟槽栅与超结设计，将RDS(on)*A降低40%，提升功率密度，适用于汽车牵引逆变器等高功率场景。
模块化产品：如CIPOS™ Maxi IPM，集成6通道1200V SOI栅极驱动器和CoolSiC™ MOSFET，实现高功率密度与可靠性。

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