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CoolGaN™ BDS 650V G5双向开关。这款基于氮化镓（GaN）技术的单片双向开关，凭借其卓越的性能和创新的设计，正在成为高效电力转换领域的明星产品。
核心技术规格
电压等级 650V，能够满足多种高压应用场景的需求。
导通电阻 不同型号的导通电阻范围从80mΩ到240mΩ不等，具体取决于产品型号。
开关频率 支持高频操作，最高可达2MHz，这使得它在高频应用中表现出色。 封装形式 采用顶部散热的封装设计，如TOLT-16L，这种设计有助于提高散热效率，确保在高功率密度应用中的稳定性。
技术优势
双向阻断能力 CoolGaN™ BDS 650V G5能够在两个方向上阻断电压和电流，这在传统的背靠背单向开关中是难以实现的。
集成设计 通过单片集成两个开关，大幅减少了芯片尺寸和系统复杂性，同时也降低了成本。
低开关损耗 由于其低栅极和输出电荷特性，CoolGaN™ BDS 650V G5能够显著减少开关损耗，提高系统效率。 高功率密度 支持更高的功率输出，同时实现更紧凑的系统设计，这对于空间受限的应用场景非常有利。
应用场景
太阳能微逆变器 在太阳能微逆变器中，CoolGaN™ BDS 650V G5能够实现无需直流母线电容的单级隔离拓扑，如循环转换器和矩阵型转换器，取代了传统的基于背靠背单向开关的设计。这种设计不仅提高了效率和功率密度，还具备升降压能力和双向功率流动。
服务器和电信 在服务器和电信领域，维也纳型转换器（如维也纳整流器、H4 PFC和单相维也纳）因其简单性和低元件数量而被广泛使用。这些拓扑结构通过采用CoolGaN™ BDS HV，用其取代现有的背靠背开关，设计人员可以轻松实现更高的开关频率，并通过减小被动元件尺寸来增加功率密度。
数据中心SMPS 基于半桥硬开关和软开关拓扑的图腾柱PFC和高频LLC，CoolGaN™ BDS 650V G5能够显著提高系统的效率和功率密度。
CoolGaN™ BDS 650V G5是英飞凌在氮化镓技术领域的一次重大创新。它以其卓越的性能和广泛的应用前景，为电力转换的未来发展提供了无限可能。开启高效电力转换的新时代。
英飞凌为CoolGaN™ BDS 650V G5提供了全面的设计支持，包括详细的数据手册、应用笔记和参考设计。 这些资源可以帮助工程师快速上手，优化设计。
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