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纳米材料/纳米电子器件电学测试面临的挑战 随着纳米材料在不同领域的广泛应用，新型纳米材料的研发具备了与往不同的特征，如纳米发电材料，纳米温差材料，纳米传感器等。由于纳米材料的种类，以及功能众多，因此，纳米材料的测试面临如下测试挑战： 测试信号微弱，纳米材料测试多为样品研发试验阶段，需要测试样品在单位面积产生的电压或电流微弱信号。尤其是电流信号，可低至nA，甚至pA级。因此，这就要求测试仪表，具有准确的微弱信号检测能力。 外部噪声干扰，由于纳米材料测试信号弱，且部分材料特性易受外部环境变化干扰，这就需要在测试中对与测试无关的外部环境噪声，进行有效屏蔽。比如采用四线制测试，降低线损压降；采用三同轴Guard方式降低线缆漏电流等等方式。 测试方式多样，多数纳米材料在光，热，湿度等外部环境的激励下，具有一定的响应特征。因此，在对纳米材料的研发中，常需要测试样品在不同外界激励源的响应输出能力。多样化的测试，使得测试仪表具备多种测试功能，如进行恒压测试，I-V扫描测试，V-t测试，脉冲测试，多通道测试等。
通过MEMS芯片在原位样品台内对样品构建精细热场自动调控及反馈测量系统，并结合TEM/SEM研究材料在不同热场条件下发生结构相变、形貌变化、物性变化以及电性变化等关键信息。
测试面临的挑战：
传统的二线制电阻测量方式容易引入附加误差，降低MEMS芯片控温的精准度。材料测试所能承受的电流超小，低至nA甚至pA，测试设备需要具备小电流的测量能力。
普赛斯S/P系列源表为原位表征提供精准热场控制及电性能测量:
标配四线制测量端口;
提供多个电流量程，量程越低，精度越高;
最低1pA电流分辨率，源测精度高达0.03%。
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