MOS管开关电路

发表于 2025-9-8 16:41

在MOS管的电源引脚附近放置去耦电容，以减少电源噪声和电压波动。

发表于 2025-9-8 19:54

漏源间并联RC吸收网络（如10Ω+1nF）阻尼关断电压尖峰。

发表于 2025-9-9 21:05

在设计时，确实需要注意MOS管的寄生电容和体二极管。这些特性在高频开关时对电路性能有很大影响。

发表于 2025-9-9 08:37

若用MCU直接驱动，需选择“逻辑电平驱动”型MOS管

发表于 2025-9-9 14:45

使用光耦或变压器等隔离电路，避免控制信号的干扰和回馈。

发表于 2025-9-9 17:57

合理的PCB布局可显著降低寄生参数，提升电路可靠性

发表于 2025-9-9 19:08

使用适当的驱动电路以确保栅极电压的快速上升和下降，减少开关损耗和电磁干扰

发表于 2025-9-10 19:44

在设计MOS管开关电路时，确实需要考虑很多因素，比如导通电阻、开关损耗和驱动电路的设计

发表于 2025-9-10 10:06

对于N沟道MOS管，栅极电压通常需要高于源极电压至少几伏特（具体取决于MOS管的阈值电压）。对于P沟道MOS管，栅极电压需要低于源极电压。

发表于 2025-9-10 12:00

减小电容/电感影响，优化PCB布局

发表于 2025-9-10 15:37

驱动电路能提供足够的栅极电压（VGS）以完全开启MOS管。

发表于 2025-9-10 17:02

驱动电路需要有足够的电流能力来快速充放电栅极电容。

发表于 2025-9-13 14:23

在电路中加入过温保护措施，防止MOS管过热损坏。

发表于 2025-9-13 15:01

根据负载特性选对类型与参数

发表于 2025-9-13 17:01

功率MOS管的源极建议采用四端子封装（如TO-247），单独引出源极感测端至驱动地。

发表于 2025-9-13 18:20

考虑信号在传输过程中的衰减和延迟，确保信号的准确性和及时性。

发表于 2025-9-13 20:54

设计过流保护电路以防止MOS管因过载而损坏。

发表于 2025-9-13 21:28

NMOS开关电路中，驱动IC的VCC、GND与MOS管的源极、漏极应靠近，避免长走线。

发表于 2025-9-14 07:44

短化高频回路，优化走线宽度，添加去耦电容

发表于 2025-9-14 09:38

高端N沟道MOS管需自举电路供电，注意自举电容容值及快充路径。

[应用方案] MOS管开关电路