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spi接口的25系列flash，状态寄存器的寿命到底是多少次啊？

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楼主
qq65411253|  楼主 | 2012-6-18 20:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
flash, SPI接口, 状态寄存器, pd
找了好几种型号的pdf，没有一个明确说明状态寄存器的擦除、写次数的。只是EN25F32有个写状态寄存器时间，大概10-15ms。比擦除一个块还要长。有谁研究过这个问题的说说看？

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沙发
airwill| | 2012-6-19 19:07 | 只看该作者
状态寄存器是没有寿命限制的, 写状态寄存器时间比擦除一个块还要长, 原因是写了寄存器后执行些命令, 这个执行会消耗不少时间。

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板凳
qq65411253|  楼主 | 2012-6-20 07:27 | 只看该作者
2# airwill
PDF里面描述这个状态寄存器是non-volatile类型，物理实现应当是flash，所以我想应该是有寿命次数的，但可能会远大于存储单元的寿命。

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地板
airwill| | 2012-6-20 09:18 | 只看该作者
哦, 没有怎么关注过这两个保护位.
从数据手册看:  WRSR
The two bits, BP1 and BP0 are nonvolatile cells that have the same properties and functions as the regular memory cells (e.g. WREN, tWC, RDSR).

这两位也是 EEPROM 的存储单元. 估计应该与  EEPROM 相同的工艺参数, 相同寿命

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5楼
wukunshan| | 2012-6-20 10:29 | 只看该作者
你问这个问题就好比问74HC573，74HC245等缓冲器芯片读写寿命一样，没有必要去关心这个问题。

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6楼
qq65411253|  楼主 | 2012-6-20 20:15 | 只看该作者
5# wukunshan
74HC245之类都不带掉电保存，所以没有寿命限制。而25系列flash的状态寄存器是非挥发性的，掉电不丢失。这个没有可比性。既然是掉电不丢失，而且PDF不给出具体的擦写次数，我猜想物理实现可能是256字节的专用块复用，这样寿命就可以达到256*100K次。设计者可能认为这个寿命已经非常长了，所以干脆就不给出具体值。

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7楼
NE5532| | 2012-6-20 21:18 | 只看该作者
恩，这个问题我也想过，实现肯定是NV，楼上说的有一定道理。厂家的DS现在都喜欢只写好看的部分。

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8楼
ningling_21| | 2012-6-20 22:11 | 只看该作者
这个状态寄存器到底是RAM还是EEPROM要分清楚，RAM是不限次数的

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9楼
NE5532| | 2012-6-20 22:14 | 只看该作者
这个状态寄存器到底是RAM还是EEPROM要分清楚，RAM是不限次数的
ningling_21 发表于 2012-6-20 22:11


他能保证掉电不掉状态，应该不是RAM了。

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10楼
Tinnal| | 2012-6-20 23:31 | 只看该作者
考虑到成本，就地取才，用本身的Flash单元来存是最合理的。而且手册也说了“are nonvolatile cells that have the same properties and functions as the regular memory cells(e.g. WREN, tWC, RDSR).”，所以寿命当然也和WREN等一样罗。

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11楼
xwj| | 2012-6-21 07:52 | 只看该作者
状态寄存器干嘛要经常写？

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12楼
NE5532| | 2012-6-21 10:05 | 只看该作者
有个使能标志是要经常写。

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