三款新产品是东芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面贴装TOLL封装，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比，可将器件体积锐减80%以上，并提升设备功率密度。
此外，TOLL封装还具有比通孔封装更小的寄生阻抗[2]，从而降低开关损耗。作为一款4引脚[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；在TW048U65C的外壳中，与东芝现有产品[5]相比，其开通损耗降低约55%，关断损耗降低约25%[4]，有助于降低设备功耗。
未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。
第3代SiC MOSFET封装产品线
测量条件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH、Rg（外部栅极电阻）＝4.7Ω
续流二极管采用各产品源极及漏极间的二极管。（东芝截至2025年8月的比较）
Ø 应用：
- 服务器、数据中心、通信设备等中的开关电源
- 电动汽车充电站
- 光伏逆变器
- 不间断电源
Ø 特性：
- 表面贴装TOLL封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗
- 东芝第3代SiC MOSFET
· 通过优化漂移电阻与沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性
· 低漏源导通电阻×栅漏电荷
· 低二极管正向电压：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）
Ø 主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25°C）
