STM32F103XX FLASH的擦除及其时间----页/字节

发表于 2012-6-19 11:12

要存点东西在FLASH里,省掉外挂EEPROM

今天看了一早上关于FLASH的东西,网上的/官方的PDF......
才发现我没找到可以擦字节的操作
----勿怪
好像擦除的最小单位是:页

现在看到的资料时擦一页要10mS左右及以上.
想知道有没有偏门点的方法可以提速????????

因为这个时间对我的系统影响很大.

现在只能先外挂个EERPOM,写字节
在合适的时候偷个时间擦FLASH,再CPOY到FLASH里.

征各位的意见,其思妙想.............

发表于 2012-6-19 11:37

擦一页有要这么久的时间吗？10MS，是有点慢了

发表于 2012-6-19 12:05

可以参考ST的FLASH模拟EEPROM例程

http://www.st.com/internet/com/T ... NOTE/CD00165693.pdf

发表于 2012-6-19 13:19

我查了，页擦写是10MS左右，你的系统要求实时性很强的话，就别用FLASH模拟了

发表于 2012-6-19 13:25

可以参考ST的FLASH模拟EEPROM例程

http://www.st.com/internet/com/TECHNICAL_RESOURCES/TECHNICAL_LITERATURE/APPLICATION_NOTE/CD00165693.pdf
香水城发表于 2012-6-19 12:05

谢谢,我所得到的时间就是来自这个文档的第五页
Erase time : (EX)N/A (IN) Page/Mass Erase time: 20 ms

发表于 2012-6-19 13:30

我查了，页擦写是10MS左右，你的系统要求实时性很强的话，就别用FLASH模拟了
figo20042005 发表于 2012-6-19 13:19

是的,
目前只计划在:开机,关机的时候用,

或者:
强调保存设置等时,产品在这时间内系统的正常工作受影响.

-----是全外挂还是如开始一样的思路,就看最后的定位了.

发表于 2012-6-19 13:35

说明:主要是如果擦一页的话,我得重写一页的内容回去,(之前还得读出来)---操作一页

这就造成了比写外挂的单个字(32bit)的时间长.---操作一字

发表于 2012-6-19 13:37

用FLASH模拟的EEPROM的宗旨就是尽可能少的擦除FLASH，以避免时间的消耗

ST的例程是仅在一个PAGE写满之后擦除，如果需要可以多开几个备份的PAGE，需要综合考虑要保存的字节数和数据变化的频率。如果是频繁变化的大量数据，肯定是挂EEPROM了。

发表于 2012-6-19 16:53

谢谢.
频率不高.只是更新一个,得改一片,
即:适合更新一段数据

发表于 2012-6-19 18:16

多开几个备份的PAGE 是个好办法, 通常 FLASH 的空间总会多出不少, 没有必要很多数据放在一个 PAGE 里, 一个 PAGE 只放几个数据或者就一个数据, 也可以大量减少数据 PAGE 被擦除的次数

发表于 2012-6-20 14:26

本帖最后由 lai832 于 2012-6-20 14:46 编辑

多开几个备份的PAGE 是个好办法, 通常 FLASH 的空间总会多出不少, 没有必要很多数据放在一个 PAGE 里, 一个 PAGE 只放几个数据或者就一个数据, 也可以大量减少数据 PAGE 被擦除的次数 ...
airwill 发表于 2012-6-19 18:16

谢谢,不错的方法.
今天翻出了这个贴子:
https://bbs.21ic.com/viewthread.php?tid=176613&highlight=STM32%2BFLASH%E6%A8%A1%E6%8B%9FEEPROM%2B%E4%BD%BF%E7%94%A8%E5%92%8C%E4%BC%98%E5%8C%96

STM32 FLASH模拟EEPROM 使用和优化
很像是专门给我解难的.

多开几个页.
用专门的页作为地址指针,以指示数据的储存地址.

开机时将乱的数据全转到某个地址段实际连续数据-----散数据转来连续数据.
后擦掉几个页在运行中储存字用-----这样就不用擦了

:)

谢了.

STM32F103XX FLASH的擦除及其时间----页/字节

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