[其它产品/技术] IPAC直播间 | 与作者对话,探寻PCIM论文技术奥秘

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IFX新闻官 发表于 2025-9-5 17:19 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 IFX新闻官 于 2025-9-5 17:30 编辑




2025国际电力元件、可再生能源管理展览会(即 PCIM Asia 2025)将于2025年9月24至26日在上海新国际博览中心举办。英飞凌作为全球功率系统的市场领导者将携带广泛的功率器件产品组合参加此次盛会,并带来一系列的精彩互动。

IPAC直播间也将配合此次展览会做PCIM论文深度解读。在本季第一期,你将看到英飞凌资深“攻城狮”带来如下话题的精彩分析:

  • 关于并联SiC MOSFET的电流均衡问题
  • 离网场景下SiC MOSFETs应用于三相四桥臂变流器的优势
  • 系统寄生参数对 SiC 器件开关的影响分析


直播时间:2025年9月11日 14:00

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本期嘉宾

董洁


对于并联SiC MOSFET,存在电流不平衡、热性能差异、过电压等诸多技术难题。本文对不同参数对并联SiC MOSFET电流分担的影响进行了理论分析和数学计算。提出了基于SPICE模型的Simetrix仿真,研究了不同参数对电流共享的影响。最后给出了驱动电路的设计建议和栅极电阻的设计方法。

魏作宇


工商业侧储能正以其经济性,电网友好性等特点蓬勃发展,其中离网应用场景下,不平衡负载带载能力,谐波畸变度等都是其PCS的重要指标。三相四桥臂(3P4L)变流器具有最强的不平衡负载能力,但对比三相三线(3P3W)系统,成本增加,谐波畸变度更高。SiC MOSFETs由于其优越的材料特性与器件特性,相较IGBT可大幅提升开关频率,本文通过理论分析结合仿真结果说明SiC MOSFETs更加适用于三相四桥臂变流器,是更具性价比的方案选择。


吴旗斌


本次解读的论文分析了系统寄生参数对 SiC(碳化硅)器件使用的影响,包括电流过充的原因、系统振荡机理以及对 SiC 器件开关损耗的影响,主要从各开关管和续流二极管的主要影响角度进行分析。强调在系统设计过程中,除了寄生电感对功率器件电压应力的影响外,还需要格外注意系统寄生电容的影响。


IPAC直播丨PCIM论文深度解读季第二期预告
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直播时间:9月24日 15:30-17:00
2
直播地点:2025 PCIM Asia展览会现场英飞凌展位
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直播话题:本年度英飞凌论文重点解读
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 楼主| IFX新闻官 发表于 2025-9-5 17:31 | 显示全部楼层
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