在 PMIC 和功率器件的发展过程中，在应用过程中会面临哪些挑战？

发表于 2025-9-24 12:02

在 PMIC 和功率器件的发展过程中，新材料（如碳化硅、氮化镓）的应用越来越广泛，这些新材料相比传统材料，在性能上有哪些显著提升，在应用过程中又面临哪些挑战？

发表于 2025-10-10 21:46

SiC 的晶体结构比硅更容易产生缺陷，如基面位错等，这些缺陷会影响器件的可靠性和性能，导致载流子陷阱和器件电阻增加。GaN 在硅衬底上生长时，由于晶格不匹配会引入相当大的应力，导致晶片形状翘曲，影响器件性能。

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