Flash模拟EEPROM时写入寿命比预期短

发表于 2025-10-7 07:27

用官方EEPROM模拟例程做了个小数据存储，半年下来有几台设备开始写失败。检查发现擦写次数没超规格，但Flash某些页读出来是错的。怀疑是写入分布不均。

发表于 2025-10-7 07:29

半年就坏有点快，可能温度太高。

发表于 2025-10-7 07:37

我也踩过这个坑，要做页轮换写入才行。

发表于 2025-10-7 07:38

你看下是不是频繁写同一块区域。

发表于 2025-10-7 07:39

F4的Flash擦写次数比标称值差一点。

发表于 2025-10-7 07:40

我加了校验码后能检测出早期损坏。

发表于 2025-10-7 07:41

建议加写保护机制，减少重复写。

发表于 2025-10-7 07:42

有时电压波动也会损坏页。

发表于 2025-10-7 07:43

写入时一定要关中断，我吃过亏。

发表于 2025-10-7 07:44

可以考虑用双区结构，分区轮换。

发表于 2025-10-7 07:45

要是真怕寿命问题，可以加个小EEPROM芯片。

[STM32F4] Flash模拟EEPROM时写入寿命比预期短