M471CI8AE 的 Flash 采用什么结构？

发表于 2025-10-22 11:25

M471CI8AE 的 Flash 采用什么结构，总容量是多少，该结构主要为支持什么功能服务？

发表于 2025-10-22 17:04

指的是这吗

发表于 2025-11-3 11:19

新唐 M471CI8AE 的 Flash 采用单 bank 结构。该结构支持在执行程序的同时进行擦写操作，具备在线编程（ICP）和在应用编程（IAP）功能，便于固件更新与数据存储，适配需要动态修改程序或存储数据的工业控制等场景。

发表于 2025-11-13 12:06

M471CI8AE 的 Flash 采用双区块 + 独立数据闪存的复合结构。其内嵌 512KB 双区块 Flash 用于存储程序，还配有 32KB 独立 Data Flash 用于存储参数，该结构支持 FOTA 在线更新，且 Data Flash 可替代 EEPROM，能简化电路设计，适配高速光模块等嵌入式场景的数据与程序存储需求。

发表于 2025-11-17 15:27

M471CI8AE 的 Flash 采用分区结构，包含主存储区与信息区。主存储区用于存放程序代码，支持按页擦除和编程；信息区可存储配置数据等，具备独立的保护机制。其 Flash 支持在系统编程（ISP）和在应用编程（IAP），擦写速度快且可靠性高，具体分区大小及操作方式见官方数据手册。

发表于 2025-11-17 15:28

M471CI8AE 的 Flash 采用分层分区结构，包含主程序区和信息区。主程序区用于存储用户代码，支持页级擦写与编程；信息区可存放配置参数等，具备独立保护机制。支持 ISP（在系统编程）和 IAP（在应用编程），擦写效率高、稳定性强，具体分区大小及操作细节参考官方手册。

发表于 2025-11-19 14:28

M471CI8AE 的 Flash 采用哈佛结构中的程序存储架构，为单 bank 结构，支持在线编程（ISP）和在应用编程（IAP）。其 Flash 可分块擦写，具备快速擦写与编程特性，适配程序存储及动态数据更新，保障 MCU 高效运行与灵活升级。

[技术问答] M471CI8AE 的 Flash 采用什么结构？

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