[技术问答] 在电池耗尽的情况下,M2L31 可利用什么组件实现数据的快速保存?

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Whosheart 发表于 2025-10-26 19:53 | 显示全部楼层 |阅读模式
在电池耗尽的情况下,M2L31 可利用什么组件实现数据的快速保存,以避免水务监测数据丢失?
桃花落满山前 发表于 2025-10-27 14:51 | 显示全部楼层
在电池耗尽的情况下,新唐 M2L31 可利用其内部集成的 ReRAM(电阻式内存)实现数据的快速保存。ReRAM 无需先擦除即可写入,速度快于闪存,能在电池电量耗尽时迅速存储关键数据,避免数据丢失。
桃花落满山前 发表于 2025-10-30 15:10 | 显示全部楼层
M2L31 在电池耗尽时,可利用内置的 Data Flash 实现数据快速保存。Data Flash 具备断电数据非易失性,且写入速度快,能在电源跌落瞬间通过硬件触发或中断机制,将关键数据迅速写入其中,避免数据丢失,无需依赖外部存储组件,简化应急数据保护设计。
热爱浪漫 发表于 2025-11-13 12:17 | 显示全部楼层
M2L31 在电池耗尽时,可利用内置的低功耗数据闪存(Data Flash)实现数据快速保存。该组件支持在断电瞬间快速写入关键数据,无需外部电源维持,凭借高效的写入机制,确保断电前数据不丢失,适配需可靠存储配置信息、运行状态等场景。
夏眠毁灭者 发表于 2025-11-13 17:57 | 显示全部楼层
新唐 M2L31 可借助内置的 ReRAM 和 Data Flash 实现电池耗尽时的数据快速保存。ReRAM 无需擦除可直接写入,速度快;Data Flash 具备非易失性,配合电源跌落时的硬件或中断触发,能迅速存储关键数据,无需额外存储组件即可避免数据丢失。
抱素 发表于 2025-11-14 18:41 | 显示全部楼层
M2L31 在电池耗尽时,可利用内置的硬件欠压检测(BOD)组件与快速存储控制器实现数据快速保存。当 BOD 检测到电压低于阈值时,会触发中断信号,快速存储控制器可跳过冗余流程,将关键数据(如运行参数、状态信息)迅速写入片内 Flash 或备份寄存器,避免数据丢失。
抱素 发表于 2025-11-14 18:42 | 显示全部楼层
新唐 M2L31 可借助内置的ReRAM(电阻式内存) 和Data Flash实现电池耗尽时的数据快速保存。ReRAM 无需预擦除,写入速度快,能瞬间存关键数据;Data Flash 则凭非易失性,经硬件触发或中断机制,在电源跌落时快速写入数据,无需外接组件即可避免数据丢失。
樱花树维纳斯 发表于 2025-11-17 15:21 | 显示全部楼层
新唐 M2L31 靠集成的ReRAM(电阻式随机存储器) 实现电池耗尽时的数据快速保存。它无需传统闪存的擦除步骤,能快速写入数据,搭配芯片的低功耗 SRAM 与断电检测相关机制,可借助残余电能,迅速将关键数据从临时存储区搬运至 ReRAM,避免电池耗尽导致数据丢失。
世纪女孩 发表于 2025-11-18 15:44 | 显示全部楼层
M2L31 在电池耗尽时,可利用内置的低功耗 SRAM 实现数据快速保存。SRAM 断电后数据易丢失,但配合外部备用电池或超级电容,能在主电掉电瞬间将关键数据写入,其写入速度快(纳秒级),可快速完成数据保存,保障重要信息不丢失。
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