在使用模拟EEPROM的时候时常hardfault

发表于 2025-10-31 18:18

利用flash的最后一页空间做为EEPROM使用。参考了官方示例，发现偶发hardfault。

大家有遇到类似的问题吗？如何解决的？

发表于 2025-11-1 20:42

模拟EEPROM需要先擦除再编程。
否则就报错

发表于 2025-11-2 17:36

楼主，需要先关闭中断。
否则，中断触发后会直接进入口函数，而这里flash处于busy状态。

发表于 2025-11-3 11:29

对比官方的例程。我按照官方的例程实现没有任何问题。

发表于 2025-11-3 19:11

如果跑官方的例程会出现宕机吗？

发表于 2025-11-4 11:35

转瞬回声发表于 2025-11-3 19:11
如果跑官方的例程会出现宕机吗？

[em:25:]按一万个理来说，是不会宕机，官方例程还宕机那有点不得了

发表于 2025-11-5 09:52

增加超时和错误处理

发表于 2025-11-5 10:27

没有关闭中断。
或者结束的时候是不是没有关闭flash的编程功能？

发表于 2025-11-5 11:35

动态数据结构、大对象需堆分配，但需严格管理生命周期。

发表于 2025-11-5 14:16

使用互斥锁或临界区保护Flash操作

发表于 2025-11-5 16:33

MCU需先解锁Flash控制寄存器才能操作，完成后及时锁定以防止误写

发表于 2025-11-5 16:58

我也觉得楼主是结束后未锁定flash的编程。

发表于 2025-11-5 18:07

Flash操作需要先擦除再写入，如果顺序错误或操作不完整，可能会导致HardFault。

发表于 2025-11-5 20:08

栈分配更高效、安全，但受大小限制。

发表于 2025-11-5 22:08

地址计算是否正确，是否会对齐，是否会越界？

发表于 2025-11-6 20:41

中断服务程序本身不访问Flash，只要它的代码在正在被操作的Flash Bank上，就会导致崩溃。

发表于 2025-11-7 16:24

Flash未解锁

发表于 2025-11-8 13:35

如果栈空间不足，可能会导致内存越界，引发HardFault。

发表于 2025-11-9 10:01

数据缓冲区起始地址为4的倍数。

发表于 2025-11-9 12:12

等待循环是否有超时机制？

[APM32E0] 在使用模拟EEPROM的时候时常hardfault