Flash擦写频繁后写入失败，像是擦除没彻底完成

发表于 2025-11-4 07:23

系统中定期存储参数到内部Flash，用久了后发现写入失败率上升。擦除操作能执行，但数据有时写不进去。感觉像擦除周期没完全结束或者页老化。

发表于 2025-11-4 07:25

写久了Flash就像“累了”，得给它歇会儿。

发表于 2025-11-4 07:26

L0系列的Flash寿命确实不算高，频繁写容易老化。

发表于 2025-11-4 07:26

你试过加个写完成检测吗？

发表于 2025-11-4 07:27

有时候擦除完需要等更长时间。

发表于 2025-11-4 07:28

我之前用双页交替写解决了。

发表于 2025-11-4 07:30

可能是电压不够导致擦除不彻底。

发表于 2025-11-4 07:31

看下是不是在中断里写Flash，容易冲突。

发表于 2025-11-4 07:32

我觉得应该先验证擦除标志再写。

发表于 2025-11-4 07:33

加个CRC校验能避免写错数据被误判。

发表于 2025-11-4 07:34

Flash真是个慢性坑，用EEPROM更省心。

发表于 2025-11-4 16:01

Flash寿命到了

发表于 2025-11-4 17:02

频繁擦写同一扇区，会导致该扇区老化，擦除不彻底或写入失败。

发表于 2025-11-4 18:13

避免反复擦写同一扇区，可以设计一个循环缓冲区如多个扇区轮换使用。

发表于 2025-11-4 18:09

可以用4个扇区轮流存储参数，分散擦写次数。

发表于 2025-11-4 19:04

如果参数更新非常频繁，考虑外接 FRAM 或 EEPROM，擦写寿命更高。

发表于 2025-11-4 20:05

在擦除或写入后，必须等待FLASH_SR寄存器的 BSY 位清零，并检查EOP标志。

发表于 2025-11-4 21:06

如果使用HAL库，要用HAL库的阻塞模式

发表于 2025-11-4 22:07

电源波动或电压不足可能导致操作失败。

发表于 2025-11-4 16:07

STM32L0 的 Flash 操作电压范围通常为 2.0V~3.6V，低于 2.0V 可能无法正常擦写。

[STM32L0] Flash擦写频繁后写入失败，像是擦除没彻底完成