这个ST MasterGaN7能降低多少开关损耗？

发表于 2025-11-16 13:55

在 WPT 的 PFC、降压等硬开关场景中，MasterGaN7 能降低多少开关损耗？可靠性（如寿命、抗浪涌）表现如何？

发表于 2025-11-24 07:25

我之前在做 300W 的 PFC 模块时试过 MasterGaN7，开关损耗确实比以前用的 MOSFET 方案低了一截，体感大概能省三成左右，不过实际还是得看你驱动和拓扑的配合。

发表于 2025-11-24 07:26

你要是跑硬开关的话，GaN 的优势主要还是开通快、寄生少，我建议你先测一下 dv/dt 能不能稳定压得住，不然 EMI 反而更难处理。

发表于 2025-11-24 07:27

我怀疑你可能更关心高压浪涌那块，GaN 的抗浪涌不像传统 MOS 那么“肉”，你最好在前端加个 TVS，再把栅极环路做到极短，否则冲击来的时候容易毛刺干扰。

发表于 2025-11-24 07:28

我之前也纠结过寿命问题，ST 给的 SOA 曲线还是比较实在的，长时间高温满载肯定比硅器件敏感，但正常设计下寿命不算短板。

发表于 2025-11-24 07:30

你检查过驱动电流吗？GaN 对驱动要求比 MOS 严格一些，MasterGaN7 虽然集成驱动，但外部布局不好照样掉效率。

发表于 2025-11-24 07:32

如果你做 WPT，那边磁链变化大，PFC 有时会被干扰，我建议先把开关节点的环路电感测清楚，GaN 特别怕这里乱跳。

发表于 2025-11-24 07:33

我之前用它做降压的时候温升还挺低的，比起用传统 MOS 少了十度左右，你可以自己跑几次热像，直观看差别。

发表于 2025-11-24 07:34

可靠性部分你别只看数据手册，最好跑一段高低温循环，GaN 在极端温度下的参数飘移要比 MOS 明显一些，提前测心里有底。

发表于 2025-11-24 07:35

你要是担心浪涌，我建议把输入侧的 RC Snubber 做到位，GaN 虽然快，但快意味着任何寄生都会放大，提前压掉毛刺更稳。

发表于 2025-11-24 07:36

另外你可以试试把 PFC 的开关频率稍微拉高一点，GaN 的高频优势更明显，但别拉太高，不然磁性器件成为新的瓶颈，收益就不明显了。

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