SH79F8013 RAM数据腐化

发表于 2025-11-9 11:09

程序运行2小时后，全局变量值随机跳变。

发表于 2025-11-12 15:44

SH79F8013 RAM 数据腐化可能因电源不稳（纹波大、欠压）、电磁干扰（未做好接地屏蔽）、堆栈溢出（栈空间不足或指针越界）、程序跑飞（中断向量错误、死循环）导致。可加强电源滤波、优化 PCB 布局、增大堆栈、检查中断配置，或用 RAM 自检程序定位问题区域。

发表于 2025-11-14 19:55

SH79F8013 的 RAM 数据腐化可能因电源不稳，需确保 VDD 在 2.4-5.5V 且纹波小；也可能是程序越界访问，检查指针操作和数组下标是否超范围；高频噪声干扰也会导致，可优化 PCB 布局，远离强干扰源；此外，芯片本身损坏或温度过高（超过 - 40~85℃范围）也可能引发，需排查硬件和环境。

发表于 2025-11-15 11:59

SH79F8013 RAM 数据腐化可能因电源不稳（纹波大、掉电）、电磁干扰（电机 / 开关噪声）、代码越界（数组溢出、栈溢出）、温度过高导致器件特性劣化，或 RAM 本身硬件故障。可加强电源滤波、优化 PCB 布局抗干扰、检查代码内存操作，换芯片测试排除硬件问题。

[家电应用] SH79F8013 RAM数据腐化

相关帖子

浏览过的版块