SH79F8013 RAM数据腐化

发表于 2025-11-9 11:09

程序运行2小时后，全局变量值随机跳变。

发表于 2025-11-12 15:44

SH79F8013 RAM 数据腐化可能因电源不稳（纹波大、欠压）、电磁干扰（未做好接地屏蔽）、堆栈溢出（栈空间不足或指针越界）、程序跑飞（中断向量错误、死循环）导致。可加强电源滤波、优化 PCB 布局、增大堆栈、检查中断配置，或用 RAM 自检程序定位问题区域。

发表于 2025-11-26 14:19

SH79F8013 RAM 数据腐化多因供电不稳、电磁干扰或软件设计不当：1. 电源纹波过大、掉电瞬间电压骤降，导致 RAM 数据写入异常，需加强电源滤波、添加掉电保护电路；2. PCB 布线不合理（如 RAM 区域靠近功率器件）、未做屏蔽，电磁干扰窜入破坏数据；3. 栈溢出、指针越界导致非法写 RAM，需优化代码（合理分配栈空间、边界检查）；4. 芯片本身质量问题或工作温度超标，可替换芯片验证。

[家电应用] SH79F8013 RAM数据腐化

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