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IR2104

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infion_123|  楼主 | 2012-6-27 16:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
ir2104
本帖最后由 infion_123 于 2012-6-28 08:46 编辑

如图，

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沙发
gx_huang| | 2012-6-27 17:14 | 只看该作者
PWM输入时，自举电容，否则上面的NMOS无法饱和导通的。

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板凳
不锈钢铁| | 2012-6-27 22:34 | 只看该作者
本帖最后由 不锈钢铁 于 2012-6-27 22:57 编辑

自举电容，提高电压的。
LZ可以设想下，当上面的管子导通的时候S极和输入电压导通了，电势就会升高。还想让GS间的电压达到导通的话，就需要升高驱动电压。
管子没导通的时候，电容充电，当管子导通的时候，VB端的电压就是电容的电压加上S极上的电压。

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pjzmj2012 2018-5-21 09:23 回复TA
嗯 说的通俗易懂呢 
地板
菜菜冲| | 2013-9-27 14:13 | 只看该作者
不锈钢铁 发表于 2012-6-27 22:34
自举电容，提高电压的。
LZ可以设想下，当上面的管子导通的时候S极和输入电压导通了，电势就会升高。还想让 ...

大神，请问 VB点的电压和H0的电压有什么关系，为什么提高VB的电压就能够让上臂的MOS管饱和导通？

从外围电路上看不到他们之间有什么直接的关系啊，谢谢！

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