在很多Buck或者Boost电源芯片的手册中，我们都能看到自举电容的应用。我们打开TI厂家的BQ25895充电芯片（内含Buck）的器件手册，如下，红色框框中47nF电容即为自举电容。
继续往后看，打开BQ25895的内部框图，就可以看到芯片内部的自举电路设计。如图中，假设VBUS为5V，VREGN为电源输出，输出电压小于5V，Q2和Q3导通条件为VGS > 4V。
首先你要明白，高电压很容易产生低电压（比如电阻分压），但是低电压产生高电压就需要额外的措施。所以下图中，5V的VBUS输入可以很容易产生低于5V的VREGN输出。
那么在下图中，我们可以看到，对于Q3而言，S极接地，G极电压直接由VREGN驱动，VREGN可以轻易产生小于5V的电压在Q3的G极和S极，所以Q3很容易导通。
而对于Q2而言，由于S极未接地，若要保证Q2导通，则要求Q2的G极电压必须比S极电压高4V，才能满足Q2 VGS>4V的条件。若S极电压为0V，VREGN可以轻松导通。若S极为5V，则G极电压必须为9V，而VREGN最大不超过5V，怎么办呢？
举电路的作用就彰显出来了。
还是如上图，首先VREGN产生小于5V的电压，让Q3导通，同时VREGN通过二极管D，自举电容C，以及导通的Q3构成对地回路，电容C开始充电，充电完成后，电容两端电压几乎等于VREGN（忽略二极管D的导通压降），由于电容C并联在Q2的G极和S极上，对于Q2来讲，VGS两端电压同样可以达到VREGN，从而使得Q2可以导通。
|
|
