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SPI时钟畸变

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楼主
kobeliulei|  楼主 | 2012-6-29 21:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
spi, 时钟, AC, MCU, 电路
我的电路中 3.3V的mcu和5V的外围设备通过SPI通信，需要电平转换。电路如下：

在理论上，从3.3V mcu出来的A点的波形应该和B点的波形相反，但是用示波器测量时的波形如下：

蓝色是mcu端A点SCLK的波形，黄色是5V设备端的SCLK'的波形,A点的SCLK的波形是正确的，为500khz,但是不知道B点的波形为什么是这样？

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沙发
kobeliulei|  楼主 | 2012-6-29 21:31 | 只看该作者
为了排除后级电路的影响，把B点后面的电路断开，只测B点的波形也是这样的

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板凳
youku| | 2012-6-29 21:54 | 只看该作者
你那三极管的工作频率多少？
降低频率再测测看

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地板
kobeliulei|  楼主 | 2012-6-29 22:22 | 只看该作者
我用的是MMBT3904，参数如下；

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5楼
qq65411253| | 2012-6-29 22:58 | 只看该作者
减小R34试试。标准的转换方式是用电平匹配芯片，比如MC74VHC1GT126。

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6楼
3htech| | 2012-6-30 09:51 | 只看该作者
个人觉得应减小R34的值。看波形，应是三极管关断时间太长，关断时间长是因为三极管放电慢（有个CE电容），减小电阻R34，会减少时间常数t = RC，这里C就是CE电容（其值由三极管决定）。因此为减少关断时间，只能减少R。这里的R就是R34.

个人愚见。

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7楼
McuPlayer| | 2012-6-30 10:04 | 只看该作者
三极管的300M带宽，请参考相关的资料把概念看清楚，跟开关频率是非常不一样的

R34与上升时间的时间常数成正比，所以上面网友建议的减小数值是有道理的

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8楼
qjy_dali| | 2012-6-30 12:35 | 只看该作者
（1）NPN输入端过饱和了；
（2）解决输入端后，后级的OC上拉电阻也要调整下

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9楼
kobeliulei|  楼主 | 2012-6-30 12:56 | 只看该作者
8# qjy_dali 输入端过饱和了，怎么解决啊？

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10楼
gradzz| | 2012-6-30 14:55 | 只看该作者
增大R36，减小R34，使三极管工作在饱和状态。

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11楼
ljm810010| | 2012-6-30 19:50 | 只看该作者
9# kobeliulei

建议你把R36更改为22K，R34更改为2.2K，并且在三极管的BE极间并联一个10K的泄放电阻，必要时，R36可以关联一个100pF左右的加速电容。

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12楼
ocon| | 2012-6-30 22:05 | 只看该作者
500K不算高，R34减为560R即可。

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13楼
kdurant| | 2012-6-30 22:58 | 只看该作者
黄线还能算是时钟吗

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14楼
bybxjhsy| | 2012-7-1 22:53 | 只看该作者
楼上几位内功都不错:lol

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15楼
jyh728| | 2012-7-2 00:34 | 只看该作者
同意8楼见解，开关速度和饱和度有关

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16楼
bybxjhsy| | 2012-7-2 00:51 | 只看该作者
15# jyh728 应该是他这个现象与驱动强度、速度以及饱和深度和退饱和的速度有关。

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17楼
xxlin1984| | 2012-7-2 10:39 | 只看该作者
R36增大； R34减少；
三极管基极加下拉电阻到地。

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18楼
jsaw| | 2012-7-3 10:10 | 只看该作者
换MOS管

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19楼
bald| | 2012-7-3 10:59 | 只看该作者
学会看手册

注意：Storage Time 一项为200nS，另加35nS上升时间和50nS下降时间，500KHz方波理论输出宽度大概为1.25us:0.75uS。

再看测试条件：Ic=10mA,Ib=1mA。依图上的电路上述参数都要加大许多。

在高频应用中，尽量避免过饱和。为降低存储时间，be间的泄放电阻是必须的。一般手册上参数表对应的都有测试电路，可以参考一下


感觉这个管子不适合你的应用，是不是考虑另选开关管或选用74ACT系列驱动芯片。

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20楼
NICKY99| | 2012-7-3 14:31 | 只看该作者
学习了

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