求助：光隔+MOS管+三极管驱动电路问题

登录 · 发表于 2012-7-2 17:29

如图，需要用5V TTL通过光隔再驱动24V的电磁铁，低电平动作，12V是电路里原来具备的，疑问如下：
1.不考虑光耦开关速率及选型，PWM（OUT）频率20K以下，该电路能正常工作吗？
2.不知道R5该如何取值最好，要同时考虑IRF540驱动电压10V左右，同时不能太大影响泄放。
3.图中三极管电路部分设计正确以及续流二极管选用合理吗？
希望能有一些解答，然后我再去做实验。。。谢谢！

发表于 2012-7-2 17:42

求好心人人解答啊 :Q

发表于 2012-7-2 21:20

电路问题很多，光耦初级就不对劲，三极管的基极部分也不对，改成PNP型C、E互换还凑合。为什么要PWM呢？你咋用了那么多组电源呢？

发表于 2012-7-3 08:38

这是之前遗留下来的电路稍做了改动，电磁铁是需要24V驱动的，PWM是想简单控制电磁铁力度，12V是电路本来有的，至于三极管，我也觉得不能这样接，但实际原本就这样。。。 3# hulx

登录 · 发表于 2012-7-3 09:08

你是这个意思？ 3# hulx

发表于 2012-7-3 17:02

晕。。。。。是没人看还是不屑看。。。。。

发表于 2012-7-3 20:34

电路原理上没啥问题，光耦初级可以考虑用NPN控制更好些。
不过我的问题是，为啥电磁铁控制要用PWM？如果是20K的频率，不知道门级那里会不会振荡。

发表于 2012-7-3 20:51

1，R4略小点，R5加大10倍。
2，楼主的电路开通较快而关闭较慢。
用20K的PWM驱动，至少得弄个图腾柱结构。

发表于 2012-7-3 21:02

光耦后级改用推挽吧现有的没有关断时泄放回路阻抗太大估计会影响开关速度。。。

发表于 2012-7-4 10:04

谢谢提醒，PWM可能是想间接控制电磁铁电流，20K是否会震荡还要测试。 7# fenggzh

发表于 2012-7-4 10:19

找安捷伦的，有带MOSFET驱动的光耦

登录 · 发表于 2012-7-4 10:31

嗯，如果是上面电路不变，R5变成10K关闭更慢，波形都会失真。
你看这个行得通不，R1 R2加不加？有什么作用/ 8# MCU52

发表于 2012-7-4 10:32

谢谢改了电路贴出来了 9# Siderlee

发表于 2012-7-4 12:28

12# fanstyaaaa
不用图腾时，加大R5就是加大棚极的放电时常数，会增加关闭时间。
加不加两电阻都加差不多，我的意见是加要好点。
加不加电阻的电路都会在没有信号的时MOS一直是开通的，按11L选个带MOS驱动的光耦吧。

发表于 2012-7-4 16:01

谢过 11# wh6ic

发表于 2012-7-4 20:21

电磁铁PWM的频率1000Hz应该足够了吧

发表于 2012-8-24 00:04

这个电路值得研究，，，留下脚印，慢慢看，，

发表于 2012-8-24 00:04

这个电路值得研究，，，留下脚印，慢慢看，，

发表于 2012-8-24 00:05

这个电路值得研究，，，留下脚印，慢慢看，，

发表于 2012-8-24 11:02

其实喔唷一个想法就是，把光耦的输出端与一三极管进行达林顿连接，根本不用什么推挽，这样就能提高性能，至于提高速度可以再R5并一个加速电容
已经实践过，望楼主采纳:)

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