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求助：光隔+MOS管+三极管驱动电路问题

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fanstyaaaa|  楼主 | 2012-7-2 17:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 电路问题, 驱动电路, 三极管, AC

如图，需要用5V TTL通过光隔再驱动24V的电磁铁，低电平动作，12V是电路里原来具备的，疑问如下：
1.不考虑光耦开关速率及选型，PWM（OUT）频率20K以下，该电路能正常工作吗？
2.不知道R5该如何取值最好，要同时考虑IRF540驱动电压10V左右，同时不能太大影响泄放。
3.图中三极管电路部分设计正确以及续流二极管选用合理吗？
希望能有一些解答，然后我再去做实验。。。谢谢！

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沙发
fanstyaaaa|  楼主 | 2012-7-2 17:42 | 只看该作者
求好心人人解答啊   :Q

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板凳
hulx| | 2012-7-2 21:20 | 只看该作者
电路问题很多，光耦初级就不对劲，三极管的基极部分也不对，改成PNP型C、E互换还凑合。为什么要PWM呢？你咋用了那么多组电源呢？

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地板
fanstyaaaa|  楼主 | 2012-7-3 08:38 | 只看该作者
这是之前遗留下来的电路稍做了改动，电磁铁是需要24V驱动的，PWM是想简单控制电磁铁力度，12V是电路本来有的，至于三极管，我也觉得不能这样接，但实际原本就这样。。。 3# hulx

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5楼
fanstyaaaa|  楼主 | 2012-7-3 09:08 | 只看该作者
你是这个意思？ 3# hulx

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6楼
fanstyaaaa|  楼主 | 2012-7-3 17:02 | 只看该作者
晕。。。。。是没人看还是不屑看。。。。。

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7楼
fenggzh| | 2012-7-3 20:34 | 只看该作者
电路原理上没啥问题，光耦初级可以考虑用NPN控制更好些。
不过我的问题是，为啥电磁铁控制要用PWM？如果是20K的频率，不知道门级那里会不会振荡。

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8楼
MCU52| | 2012-7-3 20:51 | 只看该作者
1，R4略小点，R5加大10倍。
2，楼主的电路开通较快而关闭较慢。
  用20K的PWM驱动，至少得弄个图腾柱结构。

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9楼
Siderlee| | 2012-7-3 21:02 | 只看该作者
光耦后级改用推挽吧   现有的没有关断时泄放回路阻抗太大  估计会影响开关速度。。。

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10楼
fanstyaaaa|  楼主 | 2012-7-4 10:04 | 只看该作者
谢谢提醒，PWM可能是想间接控制电磁铁电流，20K是否会震荡还要测试。 7# fenggzh

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11楼
wh6ic| | 2012-7-4 10:19 | 只看该作者
找安捷伦的，有带MOSFET驱动的光耦

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12楼
fanstyaaaa|  楼主 | 2012-7-4 10:31 | 只看该作者
嗯，如果是上面电路不变，R5变成10K关闭更慢，波形都会失真。
你看这个行得通不，R1 R2加不加？有什么作用/ 8# MCU52

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13楼
fanstyaaaa|  楼主 | 2012-7-4 10:32 | 只看该作者
谢谢 改了电路贴出来了 9# Siderlee

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14楼
MCU52| | 2012-7-4 12:28 | 只看该作者
12# fanstyaaaa
不用图腾时，加大R5就是加大棚极的放电时常数，会增加关闭时间。
加不加两电阻都加差不多，我的意见是加要好点。
加不加电阻的电路都会在没有信号的时MOS一直是开通的，按11L选个带MOS驱动的光耦吧。

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15楼
fanstyaaaa|  楼主 | 2012-7-4 16:01 | 只看该作者
谢过 11# wh6ic

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16楼
fzyuan| | 2012-7-4 20:21 | 只看该作者
电磁铁PWM的频率1000Hz应该足够了吧

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17楼
songzhige| | 2012-8-24 00:04 | 只看该作者
这个电路值得研究，，，留下脚印，慢慢看，，

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18楼
songzhige| | 2012-8-24 00:04 | 只看该作者
这个电路值得研究，，，留下脚印，慢慢看，，

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19楼
songzhige| | 2012-8-24 00:05 | 只看该作者
这个电路值得研究，，，留下脚印，慢慢看，，

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20楼
andyjian| | 2012-8-24 11:02 | 只看该作者
其实喔唷一个想法就是，把光耦的输出端与一三极管进行达林顿连接，根本不用什么推挽，这样就能提高性能，至于提高速度可以再R5并一个加速电容
已经实践过，望楼主采纳:)

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